Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Франк-Каменецкая Галина Эдуардовна

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 3
Научных статей: 3

Статистика просмотров:
Эта страница:154
Страницы публикаций:427
Полные тексты:155
Списки литературы:82
доцент
кандидат химических наук
Сайт: http://old.technolog.edu.ru/faculties/chemistry-of-substances-and-materials/kafedry-1-fakulteta/kafedra-analiticheskoj-khimii/преподаватели-и-сотрудники.html

Основные темы научной работы

исследование и анализ поверхности твердого тела рентгеновскими методами


https://www.mathnet.ru/rus/person68894
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2005
1. Г. В. Бенеманская, Г. Э. Франк-Каменецкая, “Аккумуляционный зарядовый слой на поверхности $n$-GaN (0001) с ультратонкими Ва покрытиями”, Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005),  642–645  mathnet; G. V. Benemanskaya, G. É. Frank-Kamenetskaya, “Charge accumulation layer on the n-GaN (0001) surface with ultrathin Ba coatings”, JETP Letters, 81:10 (2005), 519–522  isi  scopus 4
2003
2. И. В. Афанасьев, Г. В. Бенеманская, В. С. Вихнин, Г. Э. Франк-Каменецкая, Н. М. Шмидт, “Осцилляции в спектрах пороговой фотоэмиссии GaN (0001) с субмонослойными Cs покрытиями”, Письма в ЖЭТФ, 77:5 (2003),  270–274  mathnet; I. V. Afanas'ev, G. V. Benemanskaya, V. S. Vikhnin, G. É. Frank-Kamenetskaya, N. M. Shmidt, “Oscillations in the threshold photoemission spectra of GaN(0001) with submonolayer Cs coverages”, JETP Letters, 77:5 (2003), 226–229  scopus 3
2001
3. Г. В. Бенеманская, К. Е. Ровинский, Г. Э. Франк-Каменецкая, “Возбуждение 2D плазмонов в системе Cs/W(110)”, Письма в ЖЭТФ, 74:2 (2001),  88–91  mathnet; G. V. Benemanskaya, K. Y. Rovinskii, G. É. Frank-Kamenetskaya, “Excitation of 2D plasmons in a Cs/W(110) system”, JETP Letters, 74:2 (2001), 84–86  scopus 1

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024