|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2005 |
1. |
Г. В. Бенеманская, Г. Э. Франк-Каменецкая, “Аккумуляционный зарядовый слой на поверхности $n$-GaN (0001) с ультратонкими Ва покрытиями”, Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005), 642–645 ; G. V. Benemanskaya, G. É. Frank-Kamenetskaya, “Charge accumulation layer on the n-GaN (0001) surface with ultrathin Ba coatings”, JETP Letters, 81:10 (2005), 519–522 |
4
|
|
2003 |
2. |
И. В. Афанасьев, Г. В. Бенеманская, В. С. Вихнин, Г. Э. Франк-Каменецкая, Н. М. Шмидт, “Осцилляции в спектрах пороговой фотоэмиссии GaN (0001) с субмонослойными Cs покрытиями”, Письма в ЖЭТФ, 77:5 (2003), 270–274 ; I. V. Afanas'ev, G. V. Benemanskaya, V. S. Vikhnin, G. É. Frank-Kamenetskaya, N. M. Shmidt, “Oscillations in the threshold photoemission spectra of GaN(0001) with submonolayer Cs coverages”, JETP Letters, 77:5 (2003), 226–229 |
3
|
|
2001 |
3. |
Г. В. Бенеманская, К. Е. Ровинский, Г. Э. Франк-Каменецкая, “Возбуждение 2D плазмонов в системе Cs/W(110)”, Письма в ЖЭТФ, 74:2 (2001), 88–91 ; G. V. Benemanskaya, K. Y. Rovinskii, G. É. Frank-Kamenetskaya, “Excitation of 2D plasmons in a Cs/W(110) system”, JETP Letters, 74:2 (2001), 84–86 |
1
|
|