|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
К. В. Феклистов, А. Г. Черков, В. П. Попов, Л. И. Федина, “Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1589–1596   ; K. V. Feklistov, A. G. Cherkov, V. P. Popov, L. I. Fedina, “Redistribution of erbium and oxygen recoil atoms and the structure of silicon thin surface layers formed by high-dose argon implantation through Er and SiO$_{2}$ surface films”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1696–1703 |
|
2005 |
| 2. |
С. С. Косолобов, С. А. Цонг, Л. И. Федина, А. К. Гутаковский, А. В. Латышев, “Нестабильность распределения атомных ступеней на Si(111) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах”, Письма в ЖЭТФ, 81:3 (2005), 149–153 ; S. S. Kosolobov, S. A. Song, L. I. Fedina, A. K. Gutakovskii, A. V. Latyshev, “Instability of the distribution of atomic steps on Si(111) upon submonolayer gold adsorption at high temperatures”, JETP Letters, 81:3 (2005), 117–121   |
9
|
|
1990 |
| 3. |
Л. И. Федина, А. Л. Асеев, “Взаимодействие точечных дефектов с атомами бора и фосфора в кристаллах Si при большой скорости генерации пар Френкеля”, Физика твердого тела, 32:1 (1990), 60–68 |
|
Обратная связь: