|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
1. |
П. А. Аверичкин, А. А. Донсков, М. П. Духновский, С. Н. Князев, Ю. П. Козлова, Т. Г. Югова, И. А. Белогорохов, “Создание карбидкремнийоксидных нанослоев на поверхности поликристаллического алмаза для использования их в качестве буферов при эпитаксии нитрида галлия”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 563–566 ; P. A. Averichkin, A. A. Donskov, M. P. Duhnovskii, S. N. Knyazev, Yu. P. Kozlova, T. G. Yugova, I. A. Belogorohov, “Possibility of the use of intermediate carbidsiliconoxide nanolayers on polydiamond substrates for gallium nitride layers epitaxy”, Semiconductors, 50:4 (2016), 555–558 |
2. |
А. А. Югов, С. С. Малахов, А. А. Донсков, М. П. Духновский, С. Н. Князев, Ю. П. Козлова, Т. Г. Югова, И. А. Белогорохов, “Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 415–419 ; A. A. Yugov, S. S. Malakhov, A. A. Donskov, M. P. Duhnovskii, S. N. Knyazev, Yu. P. Kozlova, T. G. Yugova, I. A. Belogorohov, “Effect of the Ti-nanolayer thickness on the self-lift-off of thick GaN epitaxial layers”, Semiconductors, 50:3 (2016), 411–414 |
3. |
И. А. Белогорохов, Л. И. Белогорохова, М. С. Котова, М. А. Дронов, “Эффект зарядовой памяти в композиционных структурах на основе полистирола”, Письма в ЖТФ, 42:17 (2016), 49–56 ; I. A. Belogorohov, L. I. Belogorokhova, M. S. Kotova, M. A. Dronov, “The charge memory effect in polystyrene-based composite structures”, Tech. Phys. Lett., 42:9 (2016), 905–908 |
4. |
М. А. Дронов, И. А. Белогорохов, Л. И. Белогорохова, “Вибронные свойства органических полупроводников на основе монофталоцианида циркония”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 38–44 ; M. A. Dronov, I. A. Belogorohov, L. I. Belogorokhova, “Vibronic properties of organic semiconductors based on zirconium monophthalocyanine”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 626–628 |
|
2010 |
5. |
И. А. Белогорохов, Д. А. Мамичев, В. Е. Пушкарев, Л. Г. Томилова, Д. Р. Хохлов, “Люминесцентные свойства полупроводниковых композитных систем, состоящих из молекул трифталоцианина эрбия и щелевой кремниевой структуры, в ближней ИК-области”, Письма в ЖЭТФ, 92:10 (2010), 746–750 ; I. A. Belogorohov, D. A. Mamichev, V. E. Pushkarev, L. G. Tomilova, D. R. Khokhlov, “Luminescent properties of semiconductor composite systems composed of erbium triphthalocyanine molecules and a silicon slot structure in the near-infrared region”, JETP Letters, 92:10 (2010), 676–680 |
2
|
6. |
И. А. Белогорохов, М. А. Дронов, Е. В. Тихонов, В. Е. Пушкарев, Л. Г. Томилова, Д. Р. Хохлов, “Частотные зависимости мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости органических полупроводников на основе бутилзамещенных молекул монофталоцианина эрбия”, Письма в ЖЭТФ, 91:11 (2010), 676–679 ; I. A. Belogorohov, M. A. Dronov, E. V. Tikhonov, V. E. Pushkarev, L. G. Tomilova, D. R. Khokhlov, “Frequency dependences of the imaginary and real parts of the permittivity of organic semiconductors based on butyl-substituted erbium monophthalocyanine molecules”, JETP Letters, 91:11 (2010), 607–610 |
4
|
|
2007 |
7. |
И. А. Белогорохов, М. Н. Мартышов, Е. В. Тихонов, М. О. Бреусова, В. Е. Пушкарев, П. А. Форш, А. В. Зотеев, Л. Г. Томилова, Д. Р. Хохлов, “Вибронные и электрические свойства полупроводниковых структур на основе бутилзамещенных моно- и трифталоцианина, содержащих ионы эрбия”, Письма в ЖЭТФ, 85:12 (2007), 791–794 ; I. A. Belogorohov, M. N. Martyshov, E. V. Tikhonov, M. O. Breusova, V. E. Pushkarev, P. A. Forsh, A. V. Zoteev, L. G. Tomilova, D. R. Khokhlov, “Vibronic and electric properties of semiconductor structures based on butyl-substituted mono-and triphthalocyanine containing erbium ions”, JETP Letters, 85:12 (2007), 655–657 |
8
|
|
2006 |
8. |
А. И. Белогорохов, И. А. Белогорохов, М. И. Василевский, С. А. Гаврилов, Р. П. Миранда, Х. Диттрих, Д. Р. Хохлов, “Поглощение ИК излучения полярными оптическими фононами в массиве нанокристаллов CdS, состоящем из квантовых точек и квантовых нитей”, Письма в ЖЭТФ, 84:3 (2006), 152–155 ; A. I. Belogorokhov, I. A. Belogorohov, M. I. Vasilevskii, S. A. Gavrilov, R. P. Miranda, T. Dittrich, D. R. Khokhlov, “Infrared absorption by polar optical phonons in a CdS nanocrystal array consisting of quantum dots and quantum wires”, JETP Letters, 84:3 (2006), 124–126 |
9. |
В. Ю. Тимошенко, А. А. Кудрявцев, Л. А. Осминкина, А. С. Воронцов, Ю. В. Рябчиков, И. А. Белогорохов, Д. В. Ковалев, “Кремниевые нанокристаллы как фотосенсибилизаторы активного кислорода для биомедицинских применений”, Письма в ЖЭТФ, 83:9 (2006), 492–495 ; V. Yu. Timoshenko, A. A. Kudryavtsev, L. A. Osminkina, A. S. Vorontsov, Yu. V. Ryabchikov, I. A. Belogorohov, D. V. Kovalev, “Silicon nanocrystals as photosensitizers of active oxygen for biomedical applications”, JETP Letters, 83:9 (2006), 423–426 |
104
|
|