|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
1. |
А. Н. Васильев, В. А. Иванов, “Устойчивость
анизотропного параболоида вращения с заполнителем”, Исслед. по теор. пластин и оболочек, 20 (1990), 123–133 |
|
1989 |
2. |
А. Н. Васильев, В. А. Сабликов, “Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 33–38 |
|
1988 |
3. |
А. Н. Васильев, Л. А. Костельова, А. В. Новотельнова, С. Д. Ханин, “Электрические неустойчивости структуры и свойств аморфных оксидов
металлов”, ЖТФ, 58:8 (1988), 1597–1600 |
4. |
А. Н. Васильев, Ю. П. Гайдуков, А. И. Копыл, В. Н. Никифоров, Е. И. Слынько, “Упругие свойства теллуридов свинца–олова при низких температурах”, ЖТФ, 58:2 (1988), 421–424 |
5. |
Е. Н. Арутюнов, А. Н. Васильев, С. Ю. Карпов, И. А. Соколов, Е. М. Танклевская, А. В. Тулупов, “О влиянии примеси внедрения на люминесцентные свойства
имплантированного фосфида индия после лазерного отжига”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988), 176–181 |
|
1987 |
6. |
А. Н. Васильев, К. Р. Курбанов, В. Н. Никифоров, Е. А. Попова, В. Г. Средин, “Температурные зависимости скорости ультразвука
в Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 944–946 |
7. |
А. Н. Васильев, К. Р. Курбанов, В. Н. Никифоров, Е. А. Попова, В. Г. Средин, “Упругие свойства $Cd_{0.21}\,Hg_{0.79}\,Te$ в температурном интервале 4–250 K”, Письма в ЖТФ, 13:11 (1987), 682–686 |
|
1986 |
8. |
Е. Н. Арутюнов, А. Н. Васильев, С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, И. А. Соколов, “О восстановлении люминесцентных свойств имплантированного фосфида индия под действием импульсного лазерного излучения”, Письма в ЖТФ, 12:20 (1986), 1217–1222 |
9. |
А. Н. Васильев, С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, Ю. П. Погорельский, И. А. Соколов, “Аномальное поведение оптических характеристик расплава фосфида индия, полученного при воздействии наносекундного лазерного импульса”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986), 1115–1119 |
|
1985 |
10. |
А. Н. Васильев, В. Н. Колобанов, И. Л. Куусманн, Ч. Б. Лущик, В. В. Михайлин, “Размножение электронных возбуждений в кристаллах MgO”, Физика твердого тела, 27:9 (1985), 2696–2702 |
11. |
Е. Н. Арутюнов, Л. В. Беляков, А. Н. Васильев, Д. Н. Горячев, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, И. А. Соколов, О. М. Сресели, “Исследование особенностей плавления GaAs в условиях
двухдлинноволнового лазерного отжига”, ЖТФ, 55:11 (1985), 2144–2148 |
12. |
И. И. Решина, О. В. Смольский, А. Н. Васильев, “Комбинационное рассеяние света в кристаллах арсенида галлия,
подвергнутых воздействию субнаносекундных лазерных импульсов”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 252–256 |
13. |
Ж. И. Алфёров, Е. Н. Арутюнов, А. Н. Васильев, С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, Ю. В. Погорельский, И. А. Соколов, “О воздействии наносекундных лазерных импульсов на фосфид индия”, Письма в ЖТФ, 11:15 (1985), 916–920 |
14. |
Е. Н. Арутюнов, А. Н. Васильев, С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, И. А. Соколов, “Фотолюминесценция ионно-имплантированного $Ga\,As$ после наносекундного лазерного воздействия”, Письма в ЖТФ, 11:6 (1985), 368–371 |
|
1984 |
15. |
А. Н. Васильев, В. Б. Сандомирский, “Фотоакустический эффект в полупроводниках в переменном электрическом
поле”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 1954–1957 |
16. |
А. Н. Васильев, В. Б. Сандомирский, “Фотоакустический эффект в полупроводниках конечных размеров”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1751–1758 |
17. |
Е. Н. Арутюнов, А. Н. Васильев, Ю. Н. Ковальчук, Ю. В. Погорельский, И. И. Решина, О. В. Смольский, “Образование слоистой структуры в ионно-имплантированном GaAs
под действием одиночного субнаносекундного лазерного импульса”, Письма в ЖТФ, 10:21 (1984), 1281–1286 |
|
1983 |
18. |
А. Н. Васильев, Ю. П. Гайдуков, С. И. Золотов, “Определение оптимальных условий электромагнитного возбуждения звука в олове”, Физика твердого тела, 25:6 (1983), 1631–1635 |
|