|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Г. К. Кривякин, В. А. Володин, А. А. Шкляев, V. Mortet, J. More-Chevalier, P. Ashcheulov, Z. Remes, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Формирование и исследование $p$–$i$–$n$-структур на основе двухфазного гидрогенизированного кремния со слоем германия в $i$-области”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1420–1425   ; G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, A. A. Shklyaev, V. Mortet, J. More-Chevalier, P. Ashcheulov, Z. Remes, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Formation and study of $p$–$i$–$n$ structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the $i$-type region”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1370–1376 |
6
|
|
2016 |
| 2. |
Г. К. Кривякин, В. А. Володин, С. А. Кочубей, Г. Н. Камаев, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Оптические свойства $p$–$i$–$n$-структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния, сформированными с применением наносекундных лазерных отжигов”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 952–957 ; G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, S. A. Kochubei, G. N. Kamaev, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Optical properties of $p$–$i$–$n$ structures based on amorphous hydrogenated silicon with silicon nanocrystals formed via nanosecond laser annealing”, Semiconductors, 50:7 (2016), 935–940 |
10
|
|
Обратная связь: