|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
1. |
И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Л. Олейник, “Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 240–246 ; I. A. Prudaev, V. V. Kopyev, I. S. Romanov, V. L. Oleynik, “On the effect of ballistic overflow on the temperature dependence of the quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes”, Semiconductors, 51:2 (2017), 232–238 |
3
|
|