|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, П. А. Юнин, П. И. Фоломин, А. Б. Гриценко, В. Л. Крюков, Е. В. Крюков, “Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых ($>$ 100 $\mu$m) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 42:15 (2016), 27–35   ; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, P. A. Yunin, P. I. Folomin, A. B. Gritsenko, V. L. Kryukov, E. V. Kryukov, “Extremely deep profiling analysis of the atomic composition of thick ($>$ 100 $\mu$m) GaAs layers within power PIN diodes by secondary ion mass spectrometry”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 783–787 |
|
Обратная связь: