|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
А. А. Андреев, Е. А. Вавилова, И. С. Езубченко, М. Л. Занавескин, И. О. Майборода, “Влияние низкотемпературного надбарьерного слоя GaN на концентрацию электронов в гетероструктуре AlGaN/GaN”, ЖТФ, 87:8 (2017), 1275–1278   ; A. A. Andreev, E. A. Vavilova, I. S. Ezubchenko, M. L. Zanaveskin, I. O. Mayboroda, “Influence of a low-temperature GaN cap layer on the electron concentration in AlGaN/GaN heterostructure”, Tech. Phys., 62:8 (2017), 1288–1291 |
|
Обратная связь: