|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
1. |
Л. К. Орлов, С. В. Ивин, В. М. Фомин, “Влияние атомарных пучков кремния и германия на кинетику роста слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ в методе Si–GeH$_{4}$ молекулярно-пучковой эпитаксии”, ЖТФ, 87:3 (2017), 427–437 ; L. K. Orlov, S. V. Ivin, V. M. Fomin, “Effect of atomic silicon and germanium beams on the growth kinetics of Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ layers in Si–GeH$_{4}$ molecular beam epitaxy”, Tech. Phys., 62:3 (2017), 449–459 |
|