|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, М. А. Кондрашин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, M. Rinke, “Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1553–1562   ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, M. A. Kondrashin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, M. Rinke, “Effect of a $por$-Si buffer layer on the structure and morphology of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1653–1661 |
2
|
|
Обратная связь: