|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, В. А. Григорьев, “Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на $a$-срезе сапфира (11$\bar2$0)”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1300–1303   ; P. A. Yunin, Yu. N. Drozdov, O. I. Khrykin, V. A. Grigoryev, “Investigation of the anisotropy of the structural properties of GaN(0001) layers grown by MOVPE on $a$-plane (11$\bar2$0) sapphire”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1412–1415 |
1
|
|
Обратная связь: