|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, “Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1041–1048   ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Fedyukin, D. L. Goloshchapov, A. N. Lukin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, “Effect of conditions of electrochemical etching on the morphological, structural, and optical properties of porous gallium arsenide”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1163–1170 |
| 2. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, “Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 881–890 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, “Effect of misorientation and preliminary etching of the substrate on the structural and optical properties of integrated GaAs/Si(100) heterostructures produced by vapor phase epitaxy”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1012–1021 |
3
|
| 3. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 118–124 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of substrate misorientation on the composition and the structural and photoluminescence properties of epitaxial layers grown on GaAs(100)”, Semiconductors, 52:1 (2018), 112–117 |
5
|
|
2017 |
| 4. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, И. С. Тарасов, В. В. Шамахов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 124–132 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Epitaxial Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg alloys with different conductivity types”, Semiconductors, 51:1 (2017), 122–130 |
|
Обратная связь: