|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Е. В. Ерофеев, И. В. Федин, В. В. Федина, А. П. Фазлеев, “Низкотемпературные омические контакты на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 249–252   ; E. V. Erofeev, I. V. Fedin, V. V. Fedina, A. P. Fazleev, “Low-temperature Ta/Al-based ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures on silicon wafers”, Semiconductors, 53:2 (2019), 237–240 |
|
2017 |
| 2. |
Е. В. Ерофеев, И. В. Федин, В. В. Федина, М. В. Степаненко, А. В. Юрьева, “Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1278–1281 ; E. V. Erofeev, I. V. Fedin, V. V. Fedina, M. V. Stepanenko, A. V. Yuryeva, “High-voltage MIS-gated GaN transistors”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1229–1232 |
2
|
|
Обратная связь: