|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
В. Г. Заводинский, О. А. Горкуша, Н. И. Плюснин, “Компьютерное моделирование смачивающих слоев Li и Be на поверхности Si (100)”, Comp. nanotechnol., 11:1 (2024), 121–126  |
|
2019 |
| 2. |
Н. И. Плюснин, “Феноменологические модели зарождения и роста металла на полупроводнике”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2421–2424  ; N. I. Plusnin, “Phenomenological models of nucleation and growth of metal on a semiconductor”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2431–2433 |
|
2018 |
| 3. |
Н. И. Плюснин, “Формирование нанофазного смачивающего слоя и рост металла на полупроводнике”, Письма в ЖТФ, 44:21 (2018), 64–72 ; N. I. Plusnin, “Formation of a nanophase wetting layer and metal growth on a semiconductor”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 980–983 |
4
|
| 4. |
Н. И. Плюснин, А. М. Маслов, “Морфологические превращения в нанофазном смачивающем слое меди на кремнии, активированные воздействием зонда атомно-силового микроскопа”, Письма в ЖТФ, 44:5 (2018), 16–24 ; N. I. Plusnin, A. M. Maslov, “Atomic-force microscopy probe-activated morphological transformations in a nanophase copper wetting layer on silicon”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 187–190 |
|
Обратная связь: