Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Эфендиева Татьяна Насировна

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 2
Научных статей: 2

Статистика просмотров:
Эта страница:44
Страницы публикаций:77
Полные тексты:24

https://www.mathnet.ru/rus/person186026
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2020
1. Л. А. Сайпулаева, М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов, Т. Н. Эфендиева, А. Г. Алибеков, Ш. Б. Абдулвагидов, Н. В. Мельникова, В. С. Захвалинский, С. Ф. Маренкин, “Синтез и исследование электрических свойств диарсенида трикадмия с наногранулами MnAs”, ЖТФ, 90:7 (2020),  1128–1131  mathnet  elib; L. A. Saypulaeva, M. M. Gadzhialiev, Z. Sh. Pirmagomedov, T. N. Efendieva, A. G. Alibekov, Sh. B. Abdulvagidov, N. V. Melnikova, V. S. Zakhvalinskii, S. F. Marenkin, “The synthesis and investigation of the electrical properties of tricadmium diarsenide with MnAs nanogranules”, Tech. Phys., 65:7 (2020), 1083–1086 3
2016
2. М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов, Т. Н. Эфендиева, “Влияние одноосной деформации на вольт-амперную характеристику $p$-Ge/$n$-GaAs гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1075–1076  mathnet  elib; M. M. Gadzhialiev, Z. Sh. Pirmagomedov, T. N. Efendieva, “Effect of uniaxial deformation on the current–voltage characteristic of a $p$-Ge/$n$-GaAs heterostructure”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1054–1055

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024