|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
1. |
В. В. Ратников, Д. В. Нечаев, А. В. Мясоедов, О. А. Кошелев, В. Н. Жмерик, “Снижение плотности прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-сапфир, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:8 (2020), 36–39 ; V. V. Ratnikov, D. V. Nechaev, A. V. Myasoedov, O. A. Koshelev, V. N. Zhmerik, “Decreasing density of grown-in dislocations in AlN/$c$-sapphire templates grown by plasma-activated molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 389–392 |
|