|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
1. |
F. Jabli, S. Dhouibi, M. Gassoumi, “Improvement in electrical and 2DEG properties of Al$_{0.26}$Ga$_{0.74}$N|GaN|Si HEMTs”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 285 ; Semiconductors, 55:3 (2021), 379–383 |
|