|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Г. М. Гаджиев, А.Г. Гамзатов, Р. А. Алиев, Н. С. Абакарова, М. Маркелова, А. Р. Кауль, “Отрицательная динамическая диэлектрическая проницаемость керамического мультиферроика LuFe$_{2}$O$_{4}$ с кислородной нестехиометрией при совместном воздействии температуры и электрического поля”, Физика твердого тела, 63:12 (2021), 2000–2003   |
|
2020 |
| 2. |
Г. М. Гаджиев, А.Г. Гамзатов, Р. А. Алиев, Н. С. Абакарова, Л. Л. Эмирасланова, М. Н. Маркелова, А. Р. Кауль, “Температурно-частотная зависимость диэлектрического отклика в мультиферроике LuFe$_{2}$O$_{4}$”, Физика твердого тела, 62:5 (2020), 678–682 ; G. M. Gadjiev, A.G. Gamzatov, R. A. Aliev, N. S. Abakarova, L. L. Emiraslanova, M. N. Markelova, A. R. Kaul, “Temperature–frequency dependence of the dielectric response in LuFe$_{2}$O$_{4}$ multiferroics”, Phys. Solid State, 62:5 (2020), 765–769 |
3
|
|
2019 |
| 3. |
И. К. Камилов, М. И. Даунов, Г. М. Гаджиев, Р. К. Арсланов, “Об особенностях примесного энергетического спектра арсенидов”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1614–1619 ; I. K. Kamilov, M. I. Daunov, G. M. Gadjiev, R. K. Arslanov, “On the characteristic features of the impurity energy spectrum in arsenides”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1578–1583 |
|
2018 |
| 4. |
Р. А. Алиев, А.Г. Гамзатов, Г. М. Гаджиев, Н. С. Абакарова, А. Р. Кауль, М. Маркелова, Л. Л. Эмирасланова, “Влияние частоты переменного электрического поля на температурные спектры импеданса керамического мультиферроика LuFe$_{2}$O$_{4}$”, Физика твердого тела, 60:6 (2018), 1062–1066 ; R. A. Aliev, A.G. Gamzatov, G. M. Gadjiev, N. S. Abakarova, A. R. Kaul, M. Markelova, L. L. Emiraslanova, “Effect of frequency of the alternating electric field on temperature impedance spectra of LuFe$_{2}$O$_{4}$ ceramic multiferroic”, Phys. Solid State, 60:6 (2018), 1073–1077 |
1
|
|
2017 |
| 5. |
Р. А. Алиев, Г. М. Гаджиев, М. М. Гаджиалиев, А. М. Исмаилов, З. Ш. Пирмагомедов, “Особенности вольт-фарадных характеристик МДП-структуры Cu–SiO$_{2}$–$p$-InSb”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 383–385 ; R. A. Aliev, G. M. Gadjiev, M. M. Gadzhialiev, A. M. Ismailov, Z. Sh. Pirmagomedov, “Specific features of the capacitance–voltage characteristics of a Cu–SiO$_2$–$p$-InSb MIS structure”, Semiconductors, 51:3 (2017), 367–369 |
|
Обратная связь: