|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
С. А. Хахомов, А. В. Семченко, В. В. Сидский, В. В. Васькевич, А. А. Маевский, О. И. Тюленкова, В. Е. Гайшун, Д. Л. Коваленко, О. В. Пахомов, А. В. Еськов, А. С. Старков, А. Л. Холкин, В. А. Пилипенко, “Влияние состава и условий золь-гель процесса на свойства сегнетоэлектрических тонких пленок титаната бария-стронция”, ПФМТ, 2021, № 4(49), 45–50  |
|
2019 |
| 2. |
А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, В. П. Кладько, Н. В. Сафрюк-Романенко, A. И. Любченко, В. М. Шеремет, В. В. Шинкаренко, А. С. Слепова, В. А. Пилипенко, Т. В. Петлицкая, А. С. Пилипчук, Р. В. Конакова, А. В. Саченко, “Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 485–492  ; A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. P. Klad'ko, N. V. Safryuk-Romanenko, A. I. Lubchenko, V. N. Sheremet, V. V. Shynkarenko, A. S. Slepova, V. A. Pilipenko, T. V. Petlitskaya, A. S. Pilipchuk, R. V. Konakova, A. V. Sachenko, “Features of the temperature dependence of the specific contact resistance of Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si diffusion silicon structures”, Semiconductors, 53:4 (2019), 469–476 |
|
Обратная связь: