|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
1. |
И. Д. Бреев, К. В. Лихачев, В. В. Яковлева, И. П. Вейшторт, А. М. Скоморохов, С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, Г. В. Астахов, П. Г. Баранов, А. Н. Анисимов, “Влияние механических напряжений на расщепление спиновых подуровней в 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 114:5 (2021), 323–327 ; I. D. Breev, K. V. Likhachev, V. V. Yakovleva, I. P. Veishtort, A. M. Skomorokhov, S. S. Nagalyuk, E. N. Mokhov, G. V. Astakhov, P. G. Baranov, A. N. Anisimov, “Effect of mechanical stress on the splitting of spin sublevels in 4H-SiC”, JETP Letters, 114:5 (2021), 274–278 |
3
|
|
2016 |
2. |
А. Н. Анисимов, Д. О. Толмачев, Р. А. Бабунц, М. В. Музафарова, А. П. Бундакова, И. В. Ильин, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, Е. Н. Мохов, G. V. Astakhov, V. Dyakonov, “Оптический квантовый магнитометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 22–29 ; A. N. Anisimov, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, M. V. Muzafarova, A. P. Bundakova, I. V. Il'in, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, E. N. Mokhov, G. V. Astakhov, V. Dyakonov, “An optical quantum magnetometer with submicron resolution based on the level anticrossing phenomenon”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 618–621 |
2
|
|