|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1984 |
1. |
Д. З. Гарбузов, В. В. Агаев, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, “Рекомбинационные процессы в InGaAsP/InP ДГС
с ${\lambda= 1\div1.5}$ мкм”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1069–1076 |
2. |
В. В. Агаев, А. Н. Титков, Е. И. Чайкина, “Примесная оже-рекомбинация в GaSb $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 750–752 |
3. |
Д. З. Гарбузов, А. В. Чудинов, В. В. Агаев, В. П. Чалый, В. П. Евтихиев, “Люминесцентные и пороговые характеристики InGaAsP/InP ДГС (${0.94<\lambda<1.51}$ мкм) при оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 102–108 |
|