Научная биография: |
Кашкаров, Владимир Михайлович.
Энергетический аспект валентных электронов в полупроводниковых твёрдых растворах на основе соединений $А_3 В_5$, $А_2 В_6$ и $А_1 В_6$ : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 01.04.07 / Воронеж. гос. ун-т Ленинского комсомола. - Воронеж, 1989. - 169 с. |
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
1. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, Э. П. Домашевская, П. В. Середин, А. Н. Бельтюков, Ф. З. Гильмутдинов, “Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления”, Физика твердого тела, 59:4 (2017), 773–782 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, È. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, A. N. Beltyukov, F. Z. Gilmutdinov, “Composition of nanocomposites of thin tin layers on porous silicon, formed by magnetron sputtering”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 791–800 |
2. |
А. С. Леньшин, П. В. Середин, И. В. Кавецкая, Д. А. Минаков, В. М. Кашкаров, “Исследование особенностей осаждения органического красителя Родамин Б на поверхность пористого кремния с различным размером пор”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 193–197 ; A. S. Len'shin, P. V. Seredin, I. V. Kavetskaya, D. A. Minakov, V. M. Kashkarov, “Study of the deposition features of the organic dye Rhodamine B on the porous surface of silicon with different pore sizes”, Semiconductors, 51:2 (2017), 184–188 |
|
1983 |
3. |
В. А. Терехов, В. М. Кашкаров, В. В. Горбачев, Ю. А. Тетерин, Э. П. Домашевская, “Электронное строение халькогенидов меди по рентгеноспектральным и рентгеноэлектронным данным”, Физика твердого тела, 25:8 (1983), 2482–2484 |
|