|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1986 |
1. |
В. Я. Принц, Е. Х. Хайри, В. А. Самойлов, Ю. Б. Болховитянов, “Глубокий уровень, вводимый в GaAs легированием изовалентной
примесью Sb”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1392–1395 |
|