Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Степанова М Н

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 12
Научных статей: 12

Статистика просмотров:
Эта страница:39
Страницы публикаций:578
Полные тексты:222

https://www.mathnet.ru/rus/person163169
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
1992
1. А. В. Ильинский, А. Б. Куценко, М. Н. Степанова, “Экранирование поля в $p{-}i{-}n$-структурах на основе арсенида галлия при приложении напряжения обедняющей полярности”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  710–718  mathnet
1989
2. П. Н. Брунков, С. Г. Конников, М. И. Папенцев, М. М. Соболев, М. Н. Степанова, “Бистабильные дефекты в GaAs, выращенном методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1689–1691  mathnet
3. М. М. Соболев, П. Н. Брунков, С. Г. Конников, М. Н. Степанова, В. Г. Никитин, В. П. Улин, А. Ш. Долбая, Т. Д. Камушадзе, Р. М. Майсурадзе, “Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1058–1065  mathnet
4. А. А. Лебедев, В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, В. В. Свиридов, М. Н. Степанова, Н. П. Ярославцев, “Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в $p^{+}{-}p^{0}{-}\pi{-}n^{0}$-структурах арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  897–899  mathnet
1987
5. Ж. И. Алфёров, И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, В. И. Корольков, М. Н. Степанова, “Формирование высоковольтных перепадов напряжения пикосекундного диапазона на арсенидгалиевых диодах”, Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1089–1093  mathnet  isi
1985
6. Т. С. Лагунова, В. А. Марущак, М. Н. Степанова, А. Н. Титков, “Подвижность неравновесных электронов в кристаллах GaAs $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  118–122  mathnet
1984
7. В. И. Корольков, В. И. Литманович, А. В. Рожков, М. Н. Степанова, Т. С. Табаров, “Арсенидгаллиевые полевые транзисторы с управляющим $p{-}n$ переходом”, ЖТФ, 54:4 (1984),  859–862  mathnet  isi
8. В. И. Корольков, Р. С. Осипова, С. И. Пономарев, М. Н. Степанова, Г. И. Цвилев, “Исследование обратной ветви ВАХ высоковольтных $p{-}n$-структур на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2029–2035  mathnet
9. М. М. Соболев, С. Г. Конников, М. Н. Степанова, “Исследования глубоких центров в нелегированном GaAs с помощью электронного зонда”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  383–385  mathnet
10. М. И. Неменов, В. С. Рывкин, М. Н. Степанова, “Элемент оптической памяти и оптический усилитель, работающий за счет эффекта Франца–Келдыша”, Письма в ЖТФ, 10:8 (1984),  472–475  mathnet  isi
1983
11. В. А. Марущак, М. Н. Степанова, А. Н. Титков, “Спиновая релаксация электронов проводимости в умеренно легированных кристаллах GaAs”, Физика твердого тела, 25:12 (1983),  3537–3542  mathnet  isi 1
12. М. И. Неменов, Б. С. Рывкин, М. Н. Степанова, “Оптическая бистабильность за счет эффекта Франца–Келдыша при работе с некогерентным неполяризованным светом”, Письма в ЖТФ, 9:10 (1983),  604–609  mathnet
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024