|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
Л. С. Берман, Н. А. Витовский, В. Н. Ломасов, В. Н. Ткаченко, “О природе $K$-центра в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2186–2190  |
| 2. |
Л. С. Берман, Н. А. Витовский, В. Н. Ломасов, В. Н. Ткаченко, “Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его
зависимость от температуры”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1816–1822 |
| 3. |
Л. С. Берман, Н. А. Витовский, В. Б. Воронков, В. Н. Ломасов, В. Н. Ткаченко, “Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных
дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога
дефектообразования”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1213–1215 |
|
1989 |
| 4. |
В. В. Михнович, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Н. А. Витовский, “Зависимость эффективности аннигиляции гомогенных пар Френкеля в кристаллах от интенсивности облучения”, Физика твердого тела, 31:3 (1989), 306–308  |
| 5. |
Р. Ф. Витман, Н. А. Витовский, А. А. Лебедев, Т. В. Машовец, Л. В. Налбандян, “Исследование скоплений компенсирующих центров в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 2066–2069 |
| 6. |
В. А. Артемьев, Н. А. Витовский, В. В. Михнович, “Скопление точечных дефектов и их влияние на рассеяние носителей
заряда в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1395–1399 |
| 7. |
Н. А. Витовский, Т. В. Машовец, Л. В. Налбандян, “Скопления атомов меди в германии”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 911–914 |
| 8. |
Л. С. Берман, Н. А. Витовский, В. Б. Воронков, В. Н. Ломасов, А. Д. Ремешок, В. Н. Ткаченко, М. Г. Толстобров, “Скорость введения и профиль концентрации $A$-центров в $n$-кремнии,
облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 753–756 |
| 9. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, В. В. Михнович, Д. С. Полоскин, “Эффективность образования точечных дефектов
в $n$- и $p$-Ge в условиях
облучения при 77 и 300 K”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 425–428 |
| 10. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, В. В. Михнович, “Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на
энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 184–185 |
|
1988 |
| 11. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Д. С. Полоскин, “Эффективность взаимодействия вакансий с донорами V группы
в $n$-германии”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1483–1486 |
| 12. |
Н. А. Витовский, Л. В. Налбандян, Д. С. Полоскин, “Приповерхностные слои с квазиметаллической проводимостью в германии,
подвергнутом гамма-облучению при 4.2 K”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1316–1318 |
| 13. |
В. В. Емцев, А. В. Дабагян, Н. А. Витовский, Т. В. Машовец, “Основные характеристики пары Френкеля в германии”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 924–926 |
|
1987 |
| 14. |
Н. А. Витовский, А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Д. С. Полоскин, “Время жизни свободных вакансий и собственных межузельных атомов
в $n$-германии при электронном и гамма-облучении”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1826–1831 |
| 15. |
В. В. Емцев, Н. А. Витовский, Т. В. Машовец, “Энергетический спектр и процессы миграции компонентов пары Френкеля
в германии”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 145–149 |
|
1986 |
| 16. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “Ионизационно-стимулированный отжиг пар Френкеля в германии и кремнии
в условиях электронного и гамма-облучения при гелиевых температурах”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 840–843 |
|
1985 |
| 17. |
Н. А. Витовский, А. А. Веренинов, Д. С. Полоскин, “Кинетика изменения концентрации пар Френкеля в полупроводниках при
низкотемпературном облучении и ионизационном отжиге”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1263–1268 |
|
1984 |
| 18. |
Н. А. Витовский, Т. С. Лагунова, О. Рахимов, “Взаимодействие точечных собственных дефектов в фосфиде индия $n$-типа
со скоплениями акцепторов”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1624–1628 |
| 19. |
Н. А. Витовский, Т. С. Лагунова, Т. В. Машовец, О. Рахимов, “Пространственное распределение электрически активных центров
в $n$-арсениде галлия и его изменения при гамма-облучении”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1593–1596 |
| 20. |
Н. А. Витовский, О. В. Емельяненко, Т. С. Лагунова, Т. В. Машовец, О. Рахимов, “Рост скоплений компенсирующих центров в полупроводниках под действием
гамма-облучения”, Письма в ЖТФ, 10:14 (1984), 860–862 |
|
1983 |
| 21. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, “О распределении пар Френкеля, возникающих в германии
при облучении, по расстояниям между их компонентами”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 1985–1990 |
| 22. |
Н. Т. Баграев, Н. А. Витовский, Л. С. Власенко, Т. В. Машовец, О. Рахимов, “Скопления электрически активных центров в термообработанном кремнии,
выращенном по методу Чохральского”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 1979–1984 |
| 23. |
Т. В. Машовец, Н. А. Витовский, “Проявление примесного ионизационного механизма (ПИМ) образования
дефектов в антимониде индия при «надпороговом» облучении”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 521–523 |
|
Обратная связь: