|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
1. |
Н. Г. Колин, И. А. Королева, А. В. Марков, В. Б. Освенский, “Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические
свойства ядерно легированного арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 187–189 |
|
1988 |
2. |
Ф. П. Коршунов, Н. А. Соболев, Н. Г. Колин, Е. А. Кудрявцева, Т. А. Прохоренко, “Импульсный отжиг ядерно легированного арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1850–1852 |
3. |
Н. Г. Колин, Л. В. Куликова, В. Б. Освенский, “Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких
температурах”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1025–1030 |
4. |
Р. И. Глориозова, Л. И. Колесник, Н. Г. Колин, В. Б. Освенский, “Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 507–509 |
|
1987 |
5. |
Н. Г. Колин, В. Б. Освенский, Н. С. Рытова, Е. С. Юрова, “Электрические свойства арсенида индия, облученного быстрыми
нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 521–524 |
6. |
Н. Г. Колин, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, “Спектроскопия радиационных дефектов в ядерно-легированном арсениде
галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 327–330 |
|
1986 |
7. |
Н. Г. Колин, В. Б. Освенский, Н. С. Рытова, Е. С. Юрова, “Свойства ядерно-легированного арсенида индия”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 822–827 |
|
1985 |
8. |
Н. Г. Колин, В. Б. Освенский, В. В. Токаревский, В. А. Харченко, С. М. Иевлев, “Свойства арсенида галлия, легированного Ge и Se облучением в тепловой
колонне ядерного реактора”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1558–1565 |
9. |
Л. И. Колесник, Н. Г. Колин, А. М. Лошинский, В. Б. Освенский, В. В. Токаревский, В. А. Харченко, “Изучение процесса отжига ядерно-легированного арсенида галлия методом
фотолюминесценции”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1211–1216 |
|
1984 |
10. |
Н. Г. Колин, Л. В. Куликова, В. Б. Освенский, С. П. Соловьев, В. А. Харченко, “Изменение электрофизических свойств ядерно-легированного арсенида
галлия при отжиге”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2187–2192 |
|