|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
1. |
В. А. Манассон, “Фотоиндуктивный эффект в ПТДП структуре”, ЖТФ, 60:4 (1990), 180–182 |
2. |
Т. С. Гертович, С. И. Гринева, Г. П. Комиссаров, В. А. Манассон, А. Д. Огородник, К. Д. Товстюк, Е. С. Шарлай, “Поляриметрический фотоприемник”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 192–193 |
|
1989 |
3. |
С. И. Драпак, В. Н. Катеринчук, З. Д. Ковалюк, В. А. Манассон, “Особенности инжекции неосновных носителей заряда в анизотипной ПТДП
структуре”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1510–1512 |
4. |
В. А. Манассон, Г. П. Комиссаров, “Отрицательная дифференциальная фотопроводимость в МТДП структурах”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 557–559 |
5. |
В. А. Манассон, В. К. Дугаев, Э. М. Шустер, “Фотодиод с управляемой спектральной характеристикой фотоотклика”, Письма в ЖТФ, 15:18 (1989), 53–55 |
6. |
В. А. Манассон, Г. П. Комиссаров, Э. М. Шустер, “Генерация электрических колебаний в освещенной ПТДП-структуре”, Письма в ЖТФ, 15:1 (1989), 70–74 |
|
1988 |
7. |
В. А. Манассон, Г. П. Комиссаров, “Эффект термостимулированного переключения в туннельной ПДП структуре”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1322–1324 |
8. |
В. В. Баранюк, Г. П. Комиссаров, В. А. Манассон, Э. М. Шустер, “Эффект усиления фототока в гетероструктуре
In$_{2}$O$_{3}{-}\alpha$-Si : H$-$Si”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 733–735 |
|
1987 |
9. |
В. Н. Катеринчук, З. Д. Ковалюк, В. А. Манассон, “Об одном из механизмов формирования фотоэдс в ПТДП структурах”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2094–2096 |
10. |
В. А. Манассон, В. Б. Баранюк, К. Д. Товстюк, “Фотоэлектрические характеристики гетероструктуры
In$_{2}$O$_{3}{-}$SiO$_{2}{-}n$-Si с внутренним усилением фототока”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1047–1050 |
11. |
В. И. Квочка, В. А. Манассон, А. К. Мкртчян, В. Б. Баранюк, “Абсолютный радиометр на кремниевом фотодиоде со 100% внутренней квантовой эффективностью”, Письма в ЖТФ, 13:21 (1987), 1339–1341 |
12. |
В. А. Манассон, В. Б. Баранюк, К. Д. Товстюк, “Высокочувствительные фотодиоды на основе структуры полупроводник–туннельный диэлектрик–полупроводник”, Письма в ЖТФ, 13:13 (1987), 769–771 |
|
1986 |
13. |
В. А. Манассон, “Эффективная масса электронов в пленках In$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 958–960 |
|
1984 |
14. |
В. А. Манассон, А. И. Малик, К. Д. Товстюк, “Особенности зонной диаграммы гетероперехода
In$_{2}$O$_{3}$ : Sn${-}n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2121–2124 |
|