|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
В. В. Воробьева, О. В. Зушинская, В. Б. Лебедев, ЛеТуан, С. В. Новиков, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ
из растворов$-$расплавов в галлии и висмуте при различных потоках водорода”, Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1758–1764  |
|
1990 |
| 2. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, С. В. Новиков, Д. Н. Шелковников, “Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью —
висмутом и акцепторной примесью — цинком”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2217–2219 |
| 3. |
В. В. Воробьева, А. М. Крещук, Т. Л. Макарова, С. В. Новиков, К. Ю. Погребицкий, И. Г. Савельев, “Изучение переходной области между эпитаксиальными слоями
InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As в гетероструктурах с 2МЭГ”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1026–1030 |
| 4. |
Н. А. Берт, В. В. Воробьева, М. В. Воронцова, А. М. Крещук, С. В. Новиков, К. Ю. Погребицкий, И. Г. Савельев, Д. Ж. Сайфидинов, И. П. Сошников, А. Я. Шик, “Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных
электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 653–659 |
|
1989 |
| 5. |
В. В. Воробьева, О. В. Зушинская, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, “Двойное изовалентное легирование арсенида галлия висмутом и индием”, ЖТФ, 59:8 (1989), 164–167  |
| 6. |
В. В. Воробьева, М. В. Егорова, А. М. Крещук, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, “Легирование слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As самарием”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1699–1701 |
| 7. |
В. В. Воробьева, М. В. Егорова, A. M. Крещук, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, “Струтуры с 2 МЭГ в системе InP/InGaAs, полученные методом ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 15:11 (1989), 73–77 |
|
1988 |
| 8. |
В. М. Амусья, Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе
InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 342–344 |
|
1987 |
| 9. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, В. Г. Голубев, Л. В. Голубев, В. И. Иванов-Омский, С. В. Новиков, А. В. Осутин, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, О. В. Ярошевич, “Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2201–2209 |
| 10. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотолюминесценция $Ga\,As$, легированного германием и висмутом”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1264–1267 |
| 11. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Т. В. Чернева, Ю. В. Шмарцев, “Твердые растворы в системе фосфид индия–антимонид индия”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987), 188–191 |
|
1985 |
| 12. |
В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Электрожидкостная эпитаксия четырехкомпонентного твердого раствора $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 224–226 |
|
1984 |
| 13. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу об управлении составом в методе электрожидкостной
эпитаксии”, ЖТФ, 54:7 (1984), 1394–1399 |
|
Обратная связь: