|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, А. Н. Дахно, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, М. А. Сиповская, Ю. П. Яковлев, “Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов
$p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1072–1078  |
| 2. |
А. Н. Баранов, А. Н. Дахно, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, М. А. Сиповская, Ю. П. Яковлев, “Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов
$p$-GaInSbAs”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 98–103 |
|
1988 |
| 3. |
Т. И. Воронина, А. Н. Дахно, О. В. Емельяненко, Т. С. Лагунова, С. П. Старосельцева, “Примесная проводимость в $n$-GaAs и $n$-InP на металлической стороне
перехода металл–диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1230–1232 |
| 4. |
Т. И. Воронина, О. В. Емельяненко, А. Н. Дахно, Т. С. Лагунова, С. П. Старосельцева, З. И. Чугуева, “Релаксация фазы и локализация электронов в $n$-GaAs и $n$-InP вблизи
перехода металл–диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1129–1131 |
|
1986 |
| 5. |
Т. И. Воронина, А. Н. Дахно, О. В. Емельяненко, Т. С. Лагунова, З. И. Чугуева, “Отрицательное магнитосопротивление и локализация электронов
в полупроводниках с простой изотропной зоной в области перехода
металл–диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 752–753 |
|
1985 |
| 6. |
А. Н. Дахно, О. В. Емельяненко, Т. С. Лагунова, И. Н. Тимченко, “Прыжковая проводимость и топология проводящей примесной сетки
в кристаллах с изолирующими включениями”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1507–1509 |
|
Обратная связь: