|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1986 |
| 1. |
И. М. Колдаев, В. В. Лосев, Б. М. Орлов, Н. Д. Рухадзе, “Фоточувствительность структуры с длинной базой и приповерхностным
потенциальным переходом на основе монокристаллов CdS в собственной области
поглощения”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 730–732  |
|
1985 |
| 2. |
Р. Р. Домбровский, Б. М. Орлов, “Многоточечная спектроскопия глубоких уровней”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2091–2093 |
|
1984 |
| 3. |
Т. М. Елканова, Е. В. Никишин, Б. М. Орлов, “Исследование параметров, определяющих вольтамперную характеристику
«длинного» диода”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 1950–1953 |
| 4. |
И. М. Колдаев, В. В. Лосев, Б. М. Орлов, “Сублинейность вольтамперных характеристик планарных
$n^{+}{-}n{-}n^{+}$- и $M{-}n{-}n^{+}$-структур на монокристаллах
CdSe и ZnSe
при фотовозбуждении”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1678–1681 |
| 5. |
И. М. Колдаев, В. В. Лосев, Б. М. Орлов, “Чувствительность продольных инжекционных фотодиодов на основе
монокристаллов CdS к поляризованному излучению”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1316–1318 |
| 6. |
Т. М. Елканова, Е. В. Никишин, Б. М. Орлов, “Биполярная дрейфовая подвижность и эффективный коэффициент диффузии
в компенсированных полупроводниках с двумя глубокими уровнями”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 940–941 |
| 7. |
И. М. Колдаев, В. В. Лосев, Б. М. Орлов, “Фотоприемник с инжекционным усилением для ультрафиолетовой области”, Письма в ЖТФ, 10:14 (1984), 853–856  |
|
Обратная связь: