|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
Р. П. Комиренко, С. В. Литвиненко, В. А. Скрышевский, В. И. Стриха, Я. Кочка, И. Стухлик, “Структуры $a$-Si : H/Si с перестраиваемой областью спектральной
чувствительности”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 2034–2037  |
| 2. |
Ю. В. Воробьев, В. Н. Захарченко, С. С. Кильчицкая, Р. П. Комиренко, В. А. Скрышевский, В. И. Стриха, “Неаддитивность и неустойчивость фототока квазиоднородных пленок
аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 334–336 |
|
1990 |
| 3. |
В. А. Скрышевский, С. В. Литвиненко, В. И. Стриха, “Датчик электронов на основе кремниевого барьера Шоттки со слоем
туннельно-прозрачного диэлектрика”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1886–1888 |
| 4. |
А. М. Воскобойников, В. В. Смоляр, В. А. Скрышевский, В. И. Стриха, “Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М$-$ТД$-$П
структурах при инфракрасной подсветке”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 413–417 |
|
1988 |
| 5. |
В. Г. Попов, А. В. Саченко, Ю. В. Коломзаров, Р. П. Комиренко, В. А. Скрышевский, “К определению характерных длин собирания фототока
в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного
кремния”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1867–1870 |
|
1986 |
| 6. |
Ю. В. Воробьев, С. С. Кильчицкая, Р. П. Комиренко, С. В. Литвиненко, В. А. Скрышевский, В. И. Стриха, “Эффекты неаддитивности возбуждения фототока в контакте
металл–гидрогенизированный аморфный кремний”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 661–664 |
|
1984 |
| 7. |
О. В. Вакуленко, В. А. Скрышевский, “О внутреннем квантовом выходе примесной фотопроводимости
в полуизолирующем арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 172–174 |
|
1983 |
| 8. |
О. В. Вакуленко, В. А. Скрышевский, В. В. Тесленко, “Амфотерные свойства примеси хрома в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1446–1449 |
| 9. |
О. В. Вакуленко, А. И. Миколенко, Н. Н. Новиков, В. А. Скрышевский, “Фотоэлектрические свойства арсенида галлия с дислокационными
границами зерен”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 881–884 |
|
Обратная связь: