|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
В. П. Махний, Н. Д. Вахняк, О. В. Кинзерская, Ю. П. Пирятинский, “Люминесценция кристаллов ZnSe$\langle$Al$\rangle$ : Yb при 4.2 K”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 329–331   ; V. P. Makhniy, N. D. Vakhnyak, O. V. Kinzerska, Yu. P. Piryatinskii, “Luminescence of (ZnSe:Al):Yb сrystals at 4.2 K”, Semiconductors, 53:3 (2019), 310–312 |
|
1992 |
| 2. |
В. П. Махний, В. В. Мельник, Б. М. Собищанский, “Оптоэлектронные свойства селенида цинка, легированного индием”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1140–1141 |
|
1991 |
| 3. |
В. Е. Баранюк, В. П. Махний, “Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов
сульфид$-$теллурид кадмия”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 217–221 |
| 4. |
В. П. Махний, “Полупроводниковый излучатель с повышенной температурной стабильностью”, Письма в ЖТФ, 17:3 (1991), 17–21  |
|
1990 |
| 5. |
В. П. Махний, А. И. Малик, В. В. Мельник, “«Солнечно-слепой» фотодиод на основе гетероструктуры
ITO$-$ZnS”, ЖТФ, 60:9 (1990), 146–147 |
|
1988 |
| 6. |
И. С. Кабанова, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, “Нахождение закона дисперсии в запрещенной зоне полупроводника из
измерений туннельного обратного тока в диоде Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1852–1855 |
| 7. |
Н. В. Горбенко, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, М. К. Шейнкман, “Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах
Au$-$ZnS”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1651–1656 |
| 8. |
О. П. Вербицкий, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, В. Д. Рыжиков, “Свойства системы сцинтиллятор$-$фотодиод на основе структуры
селенид$-$теллурид цинка”, Письма в ЖТФ, 14:8 (1988), 702–705 |
|
1987 |
| 9. |
И. С. Кабанова, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, “Туннелирование в фосфид-галлиевых диодах Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2087–2090 |
|
1986 |
| 10. |
Н. В. Горбенко, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, М. К. Шейнкман, “Излучательная рекомбинация на донорно-акцепторных парах в области
объемного заряда Au$-$ZnS-диодов”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 619–624 |
|
1984 |
| 11. |
Л. А. Косяченко, В. П. Махний, “Влияние закона дисперсии на туннелирование носителей в CdTe-диодах”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1285–1287 |
|
Обратная связь: