|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1987 |
1. |
Ш. М. Аббасов, К. Р. Аллахвердиев, Г. Т. Агавердиева, Н. А. Бахышов, А. И. Нагиев, “Исследование полосы поглощения в области 0.52 эВ в твердом растворе
$n$-Ge$_{1-x}$Si$_{x}$, облученном быстрыми электронами
при температуре 77 K”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2235–2237 |
|
1986 |
2. |
К. Р. Аллахвердиев, Н. А. Бахышов, Т. Г. Мамедов, А. И. Наджафов, “Правило Урбаха и фазовые превращения в $\beta$-TlInS$_{2}$”, Физика твердого тела, 28:7 (1986), 2243–2246 |
|
1985 |
3. |
К. Р. Аллахвердиев, С. С. Бабаев, Н. А. Бахышов, Т. Г. Мамедов, “Фазовые переходы в TlInS$_{2}$ и TlInS$_{1.8}$Se$_{0.2}$”, Физика твердого тела, 27:12 (1985), 3699–3701 |
|
1984 |
4. |
К. Р. Аллахвердиев, С. С. Бабаев, Н. А. Бахышов, Т. Г. Мамедов, Г. И. Пересада, М. М. Шукюров, Э. Ю. Салаев, “Влияние гидростатического давления на край фундаментального
поглощения TlInS$_{2}$ и TlInS$_{1.8}$Se$_{0.2}$”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1704–1706 |
5. |
К. Р. Аллахвердиев, С. С. Бабаев, Н. А. Бахышов, Т. Г. Мамедов, Э. Ю. Салаев, “Аномалия температурного поведения электронных спектров TlInS$_{2}$
вблизи края их фундаментального поглощения”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1307–1309 |
|