Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Смагулова С А

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 13
Научных статей: 13

Статистика просмотров:
Эта страница:40
Страницы публикаций:614
Полные тексты:302

https://www.mathnet.ru/rus/person161524
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2020
1. С. А. Смагулова, П. В. Винокуров, А. А. Семенова, Е. И. Попова, Ф. Д. Васильева, Е. Д. Образцова, П. В. Федотов, И. В. Антонова, “Исследование свойств двумерных пленок МоS$_{2}$ и WS$_{2}$, синтезированных химическим газофазным методом”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  376–387  mathnet  elib; S. A. Smagulova, P. V. Vinokurov, A. A. Semyonova, E. I. Popova, F. D. Vasylieva, E. D. Obraztsova, P. V. Fedotov, I. V. Antonova, “Study of the properties of two-dimensional МоS$_{2}$ and WS$_{2}$ films synthesized by chemical-vapor deposition”, Semiconductors, 54:4 (2020), 454–464 6
2016
2. И. В. Антонова, И. А. Котин, В. И. Попов, Ф. Д. Васильева, А. Н. Капитонов, С. А. Смагулова, “Пленки оксида графена, напечатанные на твердых и гибких подложках, для широкого спектра приложений”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1086–1094  mathnet  elib; I. V. Antonova, I. A. Kotin, V. I. Popov, F. D. Vasylieva, A. N. Kapitonov, S. A. Smagulova, “Graphene-oxide films printed on rigid and flexible substrates for a wide spectrum of applications”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1065–1073 8
1988
3. А. В. Васильев, В. В. Михнович, С. А. Смагулова, “Механизм отжига разупорядоченных областей в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1137–1139  mathnet
1987
4. И. В. Антонова, А. В. Васильев, В. И. Панов, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, С. С. Шаймеев, “Исследование методом емкостной спектроскопии кремния $n$-типа, легированного магнием”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  684–687  mathnet
5. А. В. Васильев, В. И. Панов, С. А. Смагулова, С. С. Шаймеев, “Зависимость скоростей введения дефектных комплексов в кремнии $n$-типа от температуры облучения электронами”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  573–575  mathnet
1986
6. А. В. Васильев, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, “Отжиг дивакансий в кремнии, облученном быстрыми нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  561–564  mathnet
1985
7. А. В. Васильев, М. И. Изтелеуов, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, “О параметрах разупорядоченных областей в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2073–2074  mathnet
8. А. В. Васильев, С. А. Смагулова, С. С. Шаймеев, “Накопление точечных дефектов в кремнии, содержащем трансформированные отжигом разупорядоченные области”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  952–955  mathnet
1984
9. А. И. Баранов, А. В. Васильев, Н. И. Комолова, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, С. С. Шаймеев, “Количественные оценки параметров образования основных радиационных дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2177–2181  mathnet
1983
10. А. И. Баранов, А. В. Васильев, Н. И. Комолова, С. А. Смагулова, “О количественных оценках параметров радиационного дефектообразования в кремнии $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1663–1666  mathnet
11. А. В. Васильев, И. А. Копшик, С. А. Смагулова, М. А. Цвайгерт, С. С. Шаймеев, “Исследование методом DLTS отжига кремния $n$-типа, облученного нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1155–1157  mathnet
12. А. В. Васильев, С. А. Смагулова, С. С. Шаймеев, “К вопросу о методике обработки спектров DLTS”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  162–164  mathnet
13. А. В. Васильев, С. А. Смагулова, “Параметры трансформированных отжигом разупорядоченных областей в кремнии $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  30–34  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024