|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
А. В. Федосов, В. Р. Букало, Л. В. Ящинский, “Особенности пьезосопротивления $\gamma$-облученного $n$-Ge
при подсветке”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 754–756  |
|
1989 |
| 2. |
А. И. Берча, В. Н. Ермаков, В. В. Коломоец, П. Ф. Назарчук, Л. И. Панасюк, А. В. Федосов, “Переход от металлической проводимости к активационной в одноосно
деформированном $n$-$\text{Ge}\langle\text{Sb}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2244–2245 |
|
1988 |
| 3. |
А. В. Федосов, В. С. Тимощук, Л. В. Ящинский, “Об определении параметра анизотропии подвижности в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1704–1705 |
| 4. |
А. В. Федосов, Л. И. Панасюк, В. С. Тимощук, “Пьезосопротивление облученного германия”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1297–1299 |
|
1986 |
| 5. |
А. К. Семенюк, А. В. Федосов, Л. И. Панасюк, В. С. Тимощук, “Пьезосопротивление облученного
$n$-Si со слоистым распределением
примеси”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 545–547 |
|
1984 |
| 6. |
А. В. Федосов, В. Р. Букало, В. С. Тимощук, “Об анизотропии пьезосопротивления в облученном $n$-Ge
со слоистым распределением примеси”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1135–1137 |
|
Обратная связь: