|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
| 1. |
Л. А. Волков, А. И. Гуриев, В. Г. Данильченко, А. Г. Дерягин, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, В. Б. Смирницкий, Е. Л. Портной, “Генерация и регистрация пикосекундных оптических импульсов
в InGaAsP/InP ($\lambda=1.5{-}1.6$ мкм) лазерах с пассивной модуляцией
добротности”, Письма в ЖТФ, 15:13 (1989), 6–9   |
|
1988 |
| 2. |
Л. А. Волков, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, А. А. Пулатов, Б. В. Пушный, Т. С. Таборов, А. С. Усиков, “Кинетика фототока в арсенидгаллиевых структурах со встроенным
потенциальным барьером”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988), 1565–1570 |
|
1987 |
| 3. |
Х. О. Абдуллаев, М. С. Богданович, Л. А. Волков, В. Г. Данильченко, П. Г. Ильменков, “Механизм усиления и кинетика фототока в вертикальных фотопроводниках
на основе гетероструктуры
AlGaAs$-$GaAs”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1842–1846 |
|
1986 |
| 4. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, В. Г. Данильченко, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb/Ga\,Al\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 12:21 (1986), 1311–1315 |
|
1985 |
| 5. |
В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, Н. М. Сараджишвили, Л. М. Федоров, Н. М. Шмидт, М. С. Богданович, Н. З. Жингарев, Л. Б. Карлина, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, “Исследование $pin$-фотодиодов на основе
InGaAsP/InP”, ЖТФ, 55:8 (1985), 1566–1569 |
| 6. |
В. Г. Данильченко, Н. Рахимов, В. В. Руссу, О. В. Сумма, “Исследование биполярных транзисторов на основе двойной
N${-}$p${-}$N AlGaAs$-$GaAs гетероструктуры”, ЖТФ, 55:6 (1985), 1224–1227 |
| 7. |
М. С. Богданович, Л. А. Волков, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, Н. Р. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Исследование вертикальных полевых фототранзисторов
на основе GaAs. Механизм усиления и кинетика фототока”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1731–1735 |
| 8. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Данильченко, З. П. Добровольскис, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, “Исследование собственной фотопроводимости в эпитаксиальных слоях
InP и InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1460–1463 |
| 9. |
Б. И. Григорьев, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, “Исследование эффективности инжекции $p{-}n$-переходов на основе слабо
легированного GaAs”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 167–169 |
|
1984 |
| 10. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, Н. М. Сараджишвили, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Фототранзистор на основе
$N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP”, Письма в ЖТФ, 10:21 (1984), 1294–1297 |
|
1983 |
| 11. |
Б. И. Григорьев, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, “Время жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных
эпитаксиальных слоях GaAs”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 1953–1956 |
| 12. |
Ж. И. Алфров, А. Т. Гореленок, В. Г. Данильченко, А. В. Каманин, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Высокоэффективный фотодетектор
для ультрафиолетового излучения”, Письма в ЖТФ, 9:24 (1983), 1516–1519 |
|
Обратная связь: