|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
В. И. Антоненко, А. Г. Ждан, П. С. Сульженко, “Идентификация пространственной локализации пограничных состояний
в экспериментах по термостимулированному разряду МДП конденсатора”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 758–760  |
| 2. |
В. И. Антоненко, А. Г. Ждан, П. С. Сульженко, “Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний
и энергетической зависимости сечений захвата в Si — МОП структурах”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 223–228 |
|
1986 |
| 3. |
В. И. Антоненко, А. Г. Ждан, А. И. Минченко, П. С. Сульженко, “Определение параметров пограничных состояний методом
термостимулированного разряда МДП конденсатора в режиме постоянной емкости”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 208–213 |
|
1985 |
| 4. |
А. С. Веденеев, А. Г. Ждан, П. С. Сульженко, “К определению холловской концентрации и подвижности в слоях инверсии
на поверхности полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1003–1007 |
| 5. |
А. Г. Ждан, П. С. Сульженко, “Квазианомалии плотности поверхностных состояний у краев разрешенных
зон полупроводника, граничащего с диэлектриком”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 138–140 |
|
1983 |
| 6. |
Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, Ю. В. Маркин, П. С. Сульженко, “Электропроводность полупроводников с межгранульными границами
и спектроскопия пограничных состояний при наличии туннельного тока”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 390–393 |
|
Обратная связь: