Научная биография: |
Антоненко, Владимир Иванович.
Термоактивационная спектроскопия пограничных состояний в МДП-структурах методами термостимулированного разряда конденсатора в режиме постоянной ёмкости : авт. дис. … канд. физ.-матем. наук : 01.04.10 - Физика полупроводников и диэлектриков; науч. рук.: Ждан А. Г. ; Моск. Физ.-техн. ин-т. - Москва, 1986. - 22 с. : ил. |
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
В. И. Антоненко, А. Г. Ждан, П. С. Сульженко, “Идентификация пространственной локализации пограничных состояний
в экспериментах по термостимулированному разряду МДП конденсатора”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 758–760  |
| 2. |
В. И. Антоненко, А. Г. Ждан, П. С. Сульженко, “Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний
и энергетической зависимости сечений захвата в Si — МОП структурах”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 223–228 |
|
1986 |
| 3. |
В. И. Антоненко, А. Г. Ждан, А. И. Минченко, П. С. Сульженко, “Определение параметров пограничных состояний методом
термостимулированного разряда МДП конденсатора в режиме постоянной емкости”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 208–213 |
|
Обратная связь: