|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Ш. Б. Утамурадова, Р. А. Муминов, В. Г. Дыскин, О. Ф. Тукфатуллин, “Программа для расчета проективного пробега и страгглинга ионов в твердом теле с использованием аппроксимации В.В. Юдина”, Comp. nanotechnol., 9:4 (2022), 11–16  |
|
1991 |
| 2. |
К. П. Абдурахманов, Г. С. Куликов, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, Ш. А. Юсупова, “Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном
легировании кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1075–1078 |
|
1989 |
| 3. |
А. А. Лебедев, К. П. Абдурахманов, Р. Ф. Витман, Н. Б. Гусева, X. С. Далиев, Ш. Б. Утамурадова, “Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2227–2229 |
|
1988 |
| 4. |
Р. Ф. Витман, Н. Б. Гусева, А. А. Лебедев, А. А. Ситникова, Ш. Б. Утамурадова, “Образование структурных дефектов в кремнии и влияние на этот процесс
углерода и марганца”, ЖТФ, 58:11 (1988), 2272–2274  |
|
1986 |
| 5. |
К. П. Абдурахманов, Х. С. Далиев, Г. С. Куликов, А. А. Лебедев, Д. Э. Назиров, Ш. Б. Утамурадова, “Исследование взаимодействия железа с другими элементами в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 185–186 |
|
1985 |
| 6. |
К. П. Абдурахманов, Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, “Исследование влияния $\gamma$-облучения на свойства
$n$-Si$\langle$Mn$\rangle$
с помощью DLTS”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1617–1619 |
| 7. |
Ю. Ф. Шульпяков, А. А. Лебедев, К. П. Абдурахманов, Ш. Б. Утамурадова, “Влияние высокого гидростатического давления на энергию активации
уровней Мn в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1159–1161 |
| 8. |
К. П. Абдурахманов, Р. Ф. Витман, Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, “Взаимодействие кислорода с марганцем в
$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1158–1159 |
| 9. |
К. П. Абдурахманов, Б. А. Котов, Й. Крейсль, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, “Исследование Fe в $n$-Si с помощью ЭПР и емкостных методов”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 349–350 |
| 10. |
К. П. Абдурахманов, А. А. Лебедев, Й. Крейсль, Ш. Б. Утамурадова, “Глубокие уровни в кремнии, связанные с марганцем”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 213–216 |
|
Обратная связь: