|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
С. А. Гуревич, А. Е. Федорович, А. В. Федоров, “Исследование краевого поглощения света в легированном GaAs
при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 769–775  |
|
1988 |
| 2. |
И. А. Ельяшевич, А. Б. Журавлев, Ю. В. Марахонов, Е. Л. Портной, А. Е. Федорович, “Поглощение света в тонких пленках GaAs, имплантированных ионами азота
и кислорода высокой энергии”, Письма в ЖТФ, 14:20 (1988), 1870–1875  |
|
1986 |
| 3. |
Ж. И. Алфёров, С. А. Гуревич, Р. В. Маркова, В. М. Марахонов, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, М. А. Синицын, Д. В. Синявский, Ф. Н. Тимофеев, А. Е. Федорович, Б. С. Явич, “Непрерывные одночастотные инжекционные гетеролазеры $Ga\,Al\,As$, полученные гибридной технологией с использованием методов газофазной и жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 12:10 (1986), 577–582 |
|
Обратная связь: