|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
1. |
Б. Л. Гельмонт, А. В. Родина, “Энергия связи дырки на многозарядном акцепторе в полупроводниках
со структурой алмаза”, Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991), 2189–2195 |
2. |
Б. Л. Гельмонт, Г. Г. Зегря, “Температурная зависимость пороговой плотности тока инжекционного
гетеролазера”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 2019–2023 |
3. |
А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, Б. Л. Гельмонт, Б. Е. Джуртанов, Г. Г. Зегря, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, С. Г. Ястребов, “Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС
лазеров на основе GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 394–401 |
4. |
Б. Л. Гельмонт, Л. ван Бокстал, В. И. Иванов-Омский, В. А. Смирнов, Ф. Xерлах, “Субмиллиметровый ЭПР в HgCdMnTe”, Письма в ЖТФ, 17:23 (1991), 52–54 |
|
1990 |
5. |
Н. С. Барышев, Б. Л. Гельмонт, М. И. Ибрагимова, “Процессы рекомбинации носителей заряда в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
(Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 209–224 |
6. |
Б. Л. Гельмонт, А. В. Родина, Ал. Л. Эфрос, “Энергия связи дырки с нейтральным акцептором в алмазоподобных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 198–201 |
7. |
В. П. Васильев, Б. Л. Гельмонт, В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, Г. И. Кропотов, “Зеемановское расщепление $3\Gamma_{8}^{-}$-состояния мелких
акцепторов в германии”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 196–198 |
8. |
Н. Л. Баженов, Б. Л. Гельмонт, В. И. Иванов-Омский, А. И. Ижнин, В. А. Смирнов, “Фотолюминесценция твердых растворов Cd$_{0.4}$Hg$_{0.6}$Te”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 93–97 |
|
1989 |
9. |
Б. Л. Гельмонт, В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, Г. И. Кропотов, “Магнитоспектроскопия литийсодержащих доноров в германии”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1874–1880 |
10. |
Б. Л. Гельмонт, В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, Г. И. Кропотов, Ю. Э. Халлер, “Магнитоспектроскопия комплекса D(H, O) в германии”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1440–1447 |
11. |
С. Д. Барановский, Б. Л. Гельмонт, В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, А. В. Осутин, “Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации
примесей в высокочистом GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1434–1439 |
|
1988 |
12. |
Б. Л. Гельмонт, И. А. Меркулов, Ю. Ф. Рузина, И. Л. Бейнихес, “Температурная зависимость свойств магнитного полярона, связанного на акцепторе”, Физика твердого тела, 30:7 (1988), 2118–2127 |
13. |
Б. Л. Гельмонт, В. И. Иванов-Омский, Э. И. Цидильковский, “Индуцированная светом спиновая поляризация в полумагнитных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1888–1892 |
14. |
С. Д. Барановский, Б. Л. Гельмонт, Е. А. Де Андрада е Силва, И. К. Да Кунья Лима, “Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей
в слабо легированных компенсированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1585–1589 |
15. |
Б. Л. Гельмонт, Г. Г. Зегря, “Электромагнитная теория инжекционного лазера с одним гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1381–1386 |
16. |
Ю. Ф. Берковская, Б. Л. Гельмонт, Э. И. Цидильковский, “Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 855–862 |
|
1987 |
17. |
Б. Л. Гельмонт, В. А. Харченко, И. Н. Яссиевич, “Оже-рекомбинация экситонно-примесных комплексов”, Физика твердого тела, 29:8 (1987), 2351–2360 |
18. |
Б. Л. Гельмонт, Г. В. Михайлов, А. Г. Панфилов, Б. С. Разбирин, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, “Диамагнитные экситоны в гексагональных кристаллах A$_{2}$B$_{6}$”, Физика твердого тела, 29:6 (1987), 1730–1739 |
|
1986 |
19. |
Б. Л. Гельмонт, В. А. Елюхин, Г. Г. Зегря, Е. Л. Портной, М. К. Эбаноидзе, “Пороговые характеристики инжекционного лазера с одним слабо
легированным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2061–2064 |
20. |
С. Д. Барановский, Б. Л. Гельмонт, К. Д. Цэндин, “О степени компенсации стеклообразных модифицированных
полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1917–1918 |
21. |
Б. Л. Гельмонт, М. В. Кисин, “Электрон-электронное взаимодействие и анизотропия энергетического
спектра узкощелевых полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1271–1275 |
22. |
Б. Л. Гельмонт, В. И. Иванов-Омский, И. Т. Постолаки, В. А. Смирнов, “Осцилляции интенсивности фотолюминесценции полумагнитного
полупроводника Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 508–510 |
23. |
Б. Л. Гельмонт, Р. Р. Голонска, Э. М. Вахабова, В. И. Иванов-Омский, И. Т. Постолаки, В. А. Смирнов, “Фотолюминесценция и фотопроводимость узкощелевого полумагнитного полупроводника Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 73–79 |
|
1985 |
24. |
Б. Л. Гельмонт, А. Д. Мирлин, В. И. Перель, “Квазиклассическое квантование уровней акцептора в полупроводниках
типа Ge”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1052–1057 |
|
1984 |
25. |
Б. Л. Гельмонт, С. Б. Султанов, Ал. Л. Эфрос, “Закон дисперсии экситона и биэкситона в алмазоподобных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2214–2219 |
26. |
А. Д. Быховский, Э. М. Вахабова, Б. Л. Гельмонт, Ал. Л. Эфрос, “Уровни энергии акцептора в полумагнитном полупроводнике в магнитном
поле”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2094–2098 |
27. |
Б. Л. Гельмонт, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, “Межзонная оже-рекомбинация в лазерных структурах на основе GaSb”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1803–1807 |
28. |
Б. Л. Гельмонт, М. В. Кисин, “Свободные носители заряда и многочастичные эффекты в энергетическом спектре узкощелевых полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 812–817 |
|
1983 |
29. |
Б. Л. Гельмонт, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич, “О правиле Урбаха”, Физика твердого тела, 25:3 (1983), 727–733 |
30. |
Б. Л. Гельмонт, М. В. Кисин, “Многочастичные эффекты в трехзонной модели Кейна”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1493–1497 |
31. |
Б. Л. Гельмонт, М. В. Кисин, “Перенормировка энергетического спектра и диэлектрическая
проницаемость в двухзонной модели узкощелевого полупроводника”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1251–1254 |
32. |
Б. Л. Гельмонт, К. Д. Цэндин, “О примесной проводимости в стеклообразных модифицированных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1040–1044 |
33. |
Б. Л. Гельмонт, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, “Оже-рекомбинация в вырожденной электронно-дырочной плазме твердых
растворов InGaAsP”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 453–458 |
|
1976 |
34. |
Б. Л. Гельмонт, В. И. Иванов-Омский, И. М. Цидильковский, “Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников”, УФН, 120:3 (1976), 337–362 ; B. L. Gel'mont, V. I. Ivanov-Omskii, I. M. Tsidil'kovskii, “The electronic energy spectrum of zero-gap semiconductors”, Phys. Usp., 19:11 (1976), 879–893 |
35
|
|