|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
К. В. Василевский, В. А. Дмитриев, В. В. Новожилов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Обращенная меза-структура из карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 18:24 (1992), 28–31   |
| 2. |
В. А. Дмитриев, И. Ю. Линьков, Я. В. Морозенко, В. Е. Челноков, “Высокотемпературный синий светодиод”, Письма в ЖТФ, 18:3 (1992), 19–23 |
|
1991 |
| 3. |
М. М. Аникин, А. Н. Андреев, А. А. Лебедев, С. Н. Пятко, М. Г. Растегаева, Н. С. Савкина, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Высокотемпературный диод Шоттки Au$-$SiC-$6H$”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 328–333 |
| 4. |
В. А. Дмитриев, Л. Б. Елфимов, И. Ю. Линьков, Я. В. Морозенко, И. П. Никитина, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, М. А. Чернов, “Твердые растворы SiC$-$AlN, выращенные методом бесконтейнерной
жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991), 50–53 |
| 5. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Нормально закрытый SiC (6H) полевой транзистор с $p{-}n$-затвором”, Письма в ЖТФ, 17:4 (1991), 1–5 |
|
1990 |
| 6. |
В. А. Васильев, А. С. Волков, Е. Мусабеков, Е. И. Теруков, В. Е. Челноков, С. В. Чернышев, Ю. М. Шерняков, “Фотолюминесценция аморфных пленок $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 710–716 |
| 7. |
Б. И. Вишневская, В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Зеленые SiC-6H светодиоды”, Письма в ЖТФ, 16:23 (1990), 56–59 |
| 8. |
В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Светодиод с $\lambda_{\max}\simeq 398$ нм”, Письма в ЖТФ, 16:21 (1990), 50–52 |
|
1989 |
| 9. |
В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Фиолетовый SiC-$4C$-светодиод”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 39–43 |
| 10. |
М. М. Аникин, П. А. Иванов, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, “SiC-6H полевой транзистор с рекордной для карбидкремниевых
транзисторов крутизной”, Письма в ЖТФ, 15:16 (1989), 36–42 |
| 11. |
И. М. Баранов, Н. А. Белов, В. А. Дмитриев, Н. Г. Иванова, Т. С. Кондратьева, И. П. Никитина, В. Е. Челноков, В. Ф. Шаталов, Р. Н. Эрлих, “Кристаллизация монокристаллических слоев карбида кремния на
кремнии”, Письма в ЖТФ, 15:12 (1989), 50–52 |
|
1988 |
| 12. |
Б. И. Вишневская, В. А. Дмитриев, И. Д. Коваленко, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, В. С. Родкин, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, “Синие SiC-$6H$-светодиоды”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 664–669 |
| 13. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, В. П. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков, “Электрические характеристики эпитаксиальных
$p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 298–300 |
| 14. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, С. Н. Пятко, В. П. Растегаев, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, “Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким
$p{-}n$-переходом”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 133–136 |
| 15. |
В. Н. Андреев, И. М. Баранов, В. А. Дмитриев, А. В. Суворов, В. Е. Челноков, Ф. А. Чудновский, Э. М. Шер, А. В. Шумилов, А. Н. Янута, “Пленки ВТСП Y$-$Ba$-$Cu$-$O”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988), 1779–1781 |
| 16. |
А. С. Арджанов, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. В. Закс, Н. И. Кузнецов, А. Б. Слуцкий, В. Я. Стояновский, В. Е. Челноков, “Высоковольтные арсенидгалиевые силовые диоды большой площади”, Письма в ЖТФ, 14:13 (1988), 1153–1156 |
| 17. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, Н. Д. Ильинская, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Высокотемпературный SiC-6H полевой транзистор с $p{-}n$-затвором”, Письма в ЖТФ, 14:4 (1988), 289–293 |
|
1987 |
| 18. |
В. Г. Голубев, Ю. В. Жиляев, В. И. Иванов-Омский, Г. Р. Маркарян, А. В. Осутин, В. Е. Челноков, “Фотоэлектрическая лазерная магнитоспектроскопия мелких доноров
в высокочистом GaAs”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1771–1777 |
| 19. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. И. Левин, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков, “Создание $Si\,C$ эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов $Si\,C$”, Письма в ЖТФ, 13:19 (1987), 1168–1171 |
| 20. |
С. Н. Вайнштейн, В. А. Дмитриев, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Динистор на карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 13:16 (1987), 991–993 |
|
1986 |
| 21. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Структуры с ионно-имплантированным $p{-}n$-переходом на основе
эпитаксиального $4H$-SiC с $S$-образной вольтамперной характеристикой”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1654–1657 |
| 22. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Исследование вольтамперных характеристик диодных структур
на основе карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 844–848 |
| 23. |
О. А. Беляева, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, Ю. В. Левинштейн, В. Е. Челноков, “Субнаносекундное включение арсенидгаллиевых тиристоров”, Письма в ЖТФ, 12:15 (1986), 925–928 |
| 24. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Ограничение напряжения с помощью карбидкремниевых Р-П-структур”, Письма в ЖТФ, 12:13 (1986), 773–776 |
| 25. |
В. А. Дмитриев, Я. В. Морозенко, И. В. Попов, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Трехцветный сине-зелено-красный индикатор, сформированный на одном монокристалле”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 541–543 |
| 26. |
В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, И. В. Попов, В. С. Родкин, В. Е. Челноков, “Индикаторы с синим свечением на основе карбида кремния, выращенного бесконтейнерной жидкостной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:7 (1986), 385–388 |
| 27. |
И. В. Попов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Реактивное ионно-плазменное травление карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 12:4 (1986), 240–243 |
|
1985 |
| 28. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, И. В. Попов, В. Е. Челноков, “Туннельный диод на основе $Si\,C$”, Письма в ЖТФ, 11:16 (1985), 976–978 |
| 29. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, Я. В. Морозенко, И. В. Попов, В. Е. Челноков, “Карбидкремниевые светодиоды с излучением в сине-фиолетовой области спектра”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 246–248 |
| 30. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, И. В. Коркин, Я. В. Морозенко, И. В. Попов, Т. А. Сидорова, А. М. Стрельчук, В. Е. Челноков, “Карбидкремниевые Р-П-структуры, полученные жидкостной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 238–241 |
|
1984 |
| 31. |
А. Г. Астафуров, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, В. Е. Челноков, “Распространение включенного состояния в GaAs тиристорах большой
площади”, Письма в ЖТФ, 10:23 (1984), 1430–1433 |
| 32. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, В. Е. Севастьянов, А. Л. Сыркин, А. Л. Суворов, В. Е. Челноков, Г. П. Шпынев, “Выпрямительный диод на основе карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 10:17 (1984), 1053–1056 |
| 33. |
И. Н. Воронов, И. М. Греськов, П. М. Гринштейн, Р. И. Гучетль, М. А. Мороховец, Н. А. Соболев, А. А. Стук, В. А. Харченко, В. Е. Челноков, Е. И. Шек, “Влияние среды отжига на свойства радиационно-легированного кремния
(РЛК)”, Письма в ЖТФ, 10:11 (1984), 645–649 |
|
1983 |
| 34. |
Г. А. Ашкинази, Ю. В. Жиляев, В. Е. Челноков, М. И. Шульга, “Силовые диоды с барьером Шоттки
на арсениде галлия”, Письма в ЖТФ, 9:7 (1983), 414–417 |
|
Обратная связь: