|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
П. Г. Петросян, Л. Н. Григорян, Г. А. Мусаелян, “Применения силикатных стекол с полупроводниковыми нанокристаллами CdS$_{x}$Se$_{1-x}$ в качестве оптических термометров и оптических фильтров с регулируемым краем поглощения”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 926–930   ; P. G. Petrosian, L. N. Grigoryan, G. A. Musaelyan, “On the application of silicate glasses with CdS$_{x}$Se$_{1-x}$ semiconductor nanocrystals as optical thermometers and optical filters with a controlled absorption edge”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1056–1060 |
|
2017 |
| 2. |
П. Г. Петросян, Л. Н. Григорян, “Исследование поведения структурных дефектов в нанокристаллах CdSe$_{x}$S$_{1-x}$”, ЖТФ, 87:3 (2017), 443–447 ; P. G. Petrosian, L. N. Grigoryan, “Analysis of structural defects in the CdSe$_{x}$S$_{1-x}$ nanocrystals”, Tech. Phys., 62:3 (2017), 465–469 |
6
|
|
1998 |
| 3. |
A. С. Машурян, Г. Т. Ованесов, З. А. Григорян, П. Г. Петросян, “Особенности изменения надмолекулярной структуры закристаллизованного полиэтилена при кратковременном отжиге”, Уч. записки ЕГУ, сер. Физика и Математика, 1998, № 2, 52–56 |
|
1991 |
| 4. |
А. Я. Вуль, С. П. Вуль, И. И. Сайдашев, П. Г. Петросян, “Полевой транзистор с $p{-}n$-переходом в качестве затвора на основе
твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1718–1720 |
| 5. |
Г. А. Варданян, Р. И. Багдасарян, П. Г. Петросян, Л. Н. Григорян, “Получение тонких пленок CdS лазерным распылением”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 295–297 |
| 6. |
С. Х. Есаян, И. П. Пронин, Г. А. Варданян, Л. П. Григорян, П. Г. Петросян, “Нанесение и исследование сегнетоэлектрической пленки Pb(Zr, Ti)O$_{3}$
на ВТСП подложку методами ВЧ-плазменного и лазерного распыления”, Письма в ЖТФ, 17:21 (1991), 7–13  |
|
1990 |
| 7. |
С. Х. Есаян, О. В. Кандидова, Г. А. Варданян, Л. П. Григорян, П. Г. Петросян, “Однофазные сегнетоэлектрические пленки Pb(Zr, Ti)O$_{3}$, полученные
методом лазерного распыления”, Письма в ЖТФ, 16:22 (1990), 27–33 |
|
1987 |
| 8. |
А. Я. Вуль, С. П. Вуль, П. Г. Петросян, Ю. В. Шмарцев, “Дрейфовые барьеры в эпитаксиальных слоях нелегированных твердых
растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 662–665 |
|
1986 |
| 9. |
А. Я. Вуль, П. Г. Петросян, С. П. Вуль, “Корреляционное распределение примесей в нелегированных эпитаксиальных
слоях твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1227–1233 |
| 10. |
С. П. Вуль, А. Я. Вуль, П. Г. Петросян, Ю. В. Шмарцев, “Прямое наблюдение высокоомных областей в эпитаксиальных слоях $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$”, Письма в ЖТФ, 12:15 (1986), 912–916 |
|
1985 |
| 11. |
А. Я. Вуль, П. Г. Петросян, “Поверхностно-барьерные структуры на основе твердых растворов
GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1081–1086 |
|
Обратная связь: