|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
А. В. Жерздев, В. Г. Карпов, А. Б. Певцов, А. Г. Пилатов, Н. А. Феоктистов, “Электролюминесценция в $p{-}i{-}n$-структурах на основе
$a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 750–754  |
|
1989 |
| 2. |
С. В. Безлюдный, В. Г. Карпов, Н. В. Колесников, А. Н. Якименко, “Механизм генерации заряда в МДП структуре”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 2013–2018 |
|
1987 |
| 3. |
С. Д. Барановский, В. Г. Карпов, “Частотная зависимость емкости в МДП структурах на основе
некристаллических полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2109–2111 |
| 4. |
С. Д. Барановский, В. Г. Карпов, “Двухканальный электронный перенос в стеклообразных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 314–318 |
| 5. |
С. Д. Барановский, В. Г. Карпов, “Локализованные электронные состояния в стеклообразных
полупроводниках (обзор)”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 3–17 |
|
1986 |
| 6. |
С. Д. Барановский, В. Г. Карпов, “Многофононная прыжковая проводимость”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1811–1815 |
| 7. |
С. Д. Барановский, В. Г. Карпов, “Кинетика затухания фотолюминесценции в стеклообразных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 309–313 |
|
1985 |
| 8. |
В. Г. Карпов, “Низкотемпературное тепловое расширение аморфных полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 944–946 |
| 9. |
С. Д. Барановский, В. Г. Карпов, “Вероятность захвата и дисперсионный перенос в некристаллических
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 541–543 |
| 10. |
В. Г. Карпов, “Электронные двухуровневые системы и проводимость
на переменном токе в стеклообразных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 123–130 |
|
1984 |
| 11. |
С. П. Варфоломеев, В. Г. Карпов, Н. В. Колесников, А. В. Пашкевич, Ю. Д. Шелехин, “Протекание тока в поликристаллических пленках с нарушениями
сплошности”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1698–1700 |
| 12. |
С. Д. Барановский, В. Г. Карпов, “Температурное гашение фотолюминесценции в халькогенидных
стеклообразных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1324–1327 |
|
1983 |
| 13. |
Ф. Н. Игнатьев, В. Г. Карпов, М. И. Клингер, “Двухъямные критические потенциалы – типичные неодноямные атомные потенциалы в аморфных системах”, Докл. АН СССР, 269:6 (1983), 1341–1345 |
|
Обратная связь: