|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Б. А. Андреев, Е. Б. Козлов, Т. М. Лифшиц, “Силы осцилляторов оптических переходов в мелких примесях и примесных
комплексах в кремнии и германии”, Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992), 927–934  |
|
1991 |
| 2. |
Б. А. Андреев, Е. Б. Козлов, Т. М. Лифшиц, “О ширине линий примесных оптических переходов в адсорбционных
и фототермоионизационных спектрах”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 880–884 |
|
1988 |
| 3. |
А. С. Веденеев, Г. И. Воронкова, А. Г. Ждан, Ш. М. Коган, Т. М. Лифшиц, В. В. Рыльков, “Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо
компенсированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 586–592 |
|
1987 |
| 4. |
А. Г. Ждан, Т. М. Лифшиц, В. В. Рыльков, “Проявления $A^{+}$-центров и $A^{+}_{2}$-комплексов в кинетике
релаксации примесной фотопроводимости дырочного кремния”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 217–221 |
| 5. |
Ш. М. Коган, Т. М. Лифшиц, “Определение степени компенсации примесей в полупроводниках методом эталонов”, Письма в ЖТФ, 13:11 (1987), 686–689  |
|
1983 |
| 6. |
В. Ю. Иванов, Т. М. Лифшиц, “Расщепление компонент тонкой структуры линий в фотоэлектрических
спектрах эпитаксиальных слоев GaAs в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 2050–2054 |
|
1965 |
| 7. |
Т. М. Лифшиц, Ф. Я. Надь, “Фотопроводимость в германии, легированном примесями V группы, при энергиях фотонов, меньших энергии ионизации
примесей”, Докл. АН СССР, 162:4 (1965), 801–802 |
|
1953 |
| 8. |
Т. М. Лифшиц, “Применение электронных умножителей для счёта элементарных частиц и квантов”, УФН, 50:3 (1953), 365–432 |
|
Обратная связь: