|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2001 |
| 1. |
В. Д. Борман, А. А. Белогорлов, А. М. Грехов, В. Н. Тронин, В. И. Троян, “Наблюдение динамических эффектов при перколяционном переходе в системе несмачивающая жидкость — нанопористое тело”, Письма в ЖЭТФ, 74:5 (2001), 287–290  ; V. D. Borman, A. A. Belogorlov, A. M. Grekhov, V. N. Tronin, V. I. Troyan, “Observation of dynamic effects in the percolation transition in a «nonwetting liquid-nanoporous body» system”, JETP Letters, 74:5 (2001), 258–261  |
17
|
|
1989 |
| 2. |
О. А. Голикова, А. М. Грехов, Т. Е. Сальков, “Влияние трехцентровых связей на электронные свойства аморфного
гидрированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 2060–2062 |
| 3. |
А. М. Грехов, В. Е. Кустов, Н. А. Трипачко, В. И. Шаховцов, “Кластерный расчет деформационных зарядов дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 746–748 |
|
1988 |
| 4. |
А. М. Грехов, “Самосогласованные расчеты из первых принципов электронной структуры
примесных кластеров кремния и алмаза”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1439–1445 |
| 5. |
А. М. Грехов, В. И. Шаховцов, “Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных
примесей в кремнии.
Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge
в Si”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 285–288 |
| 6. |
А. М. Грехов, Н. И. Дерюгина, Г. М. Клапченко, Ю. П. Цященко, “Исследование влияния фторирования и хлорирования на электронную
структуру $a$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 273–275 |
|
1987 |
| 7. |
А. М. Грехов, В. М. Гунько, В. И. Шаховцов, “Исследование электронной структуры изоэлектронных примесей
в кремнии. Атомы С, Ge и их комплексы с вакансиями”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1837–1841 |
|
1986 |
| 8. |
А. М. Грехов, Г. М. Клапченко, Ю. П. Цященко, “Возможные конфигурационные модели и адиабатические потенциалы для
водорода в $a$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1505–1509 |
| 9. |
А. М. Грехов, В. М. Гунько, “Релаксация локального окружения оборванной связи в аморфном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 952–953 |
| 10. |
А. М. Грехов, Г. М. Клапченко, Ю. П. Цященко, “Изменение электронной структуры бивакансии при гидрогенизации
аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 949–951 |
|
1985 |
| 11. |
А. М. Грехов, В. М. Гунько, Г. М. Клапченко, Ю. П. Цященко, “Релаксация локальной структуры насыщенной водородом вакансии в кремнии”, Физика твердого тела, 27:1 (1985), 285–287 |
| 12. |
А. М. Грехов, В. М. Гунько, “Расчет влияния разупорядочения на оптические константы аморфного
кремния”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1892–1893 |
| 13. |
А. М. Грехов, В. М. Гунько, “Расчет изменений оптических параметров и электронной структуры при
гидрогенизации аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1889–1891 |
|
1984 |
| 14. |
А. М. Грехов, Г. М. Клапченко, Ю. П. Цященко, “Теоретические модели дефектов в аморфном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1392–1396 |
|
1983 |
| 15. |
Ю. М. Сулейманов, А. М. Грехов, В. М. Грехов, “Электронно-колебательная структура $D_{1}$-спектров облученного карбида кремния”, Физика твердого тела, 25:6 (1983), 1840–1843  |
| 16. |
А. М. Грехов, В. М. Гунько, Г. М. Клапченко, Ю. П. Цященко, “Энергетические уровни пар фосфора и бора в аморфном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 2088–2090 |
| 17. |
А. М. Грехов, В. М. Гунько, Г. М. Клапченко, Ю. П. Цященко, “Влияние водорода на оборванные связи в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1859–1861 |
| 18. |
В. И. Гавриленко, А. М. Грехов, Г. А. Катрич, В. В. Климов, В. Г. Литовченко, “Влияние аморфизации на энергетические состояния валентных электронов
в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1642–1647 |
|
1979 |
| 19. |
Л. В. Артамонов, А. М. Грехов, А. Б. Ройцин, “О соотношении прямого и косвенного обменов в многоатомных системах”, Докл. АН СССР, 247:5 (1979), 1115–1119 |
|
Обратная связь: