|
Твердотельная электроника
Вихревые туннельные магнитные контакты с композитным свободным слоем
И. Ю. Пашенькинa, Е. В. Скороходовa, М. В. Сапожниковba, А. А. Фраерманa, Г. А. Кичинc, К. А. Звездинdc a Институт физики микроструктур РАН – филиал Федерального исследовательского центра "Институт прикладной
физики РАН", 603087 Нижний Новгород, Россия
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Новые спинтронные технологии, Российский квантовый центр, Инновационный центр Сколково, 121205 Москва, Россия
d Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
Аннотация:
Предложен новый метод создания туннельных магниторезистивных контактов CoFeB/MgO/CoFeB с вихревой конфигурацией намагниченности свободного слоя. Контакты изготовлены с применением методов электронной литографии и имеют латеральные размеры $\sim$ 700 nm. Достигнутая величина туннельного магниторезистивного эффекта составила 80–120% для разных образцов. Благодаря низкой коэрцитивности кривая магнетосопротивления имеет линейный участок без магнитного гистерезиса, соответствующий сдвигу вихря из центрального положения. Данные образцы контактов проявляют спин-трансферные диодные свойства – в них наблюдалось выпрямление высокочастотных сигналов на вихревых конфигурациях намагниченности.
Ключевые слова:
магнитные туннельные контакты, спин-трансферный диодный эффект, вихревые спин-трансферные наноосцилляторы.
Поступила в редакцию: 07.07.2023 Исправленный вариант: 14.09.2023 Принята в печать: 25.09.2023
Образец цитирования:
И. Ю. Пашенькин, Е. В. Скороходов, М. В. Сапожников, А. А. Фраерман, Г. А. Кичин, К. А. Звездин, “Вихревые туннельные магнитные контакты с композитным свободным слоем”, ЖТФ, 93:11 (2023), 1616–1621
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf7128 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v93/i11/p1616
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 13 | PDF полного текста: | 2 |
|