|
XXVII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'' Н. Новгород, 13-16 марта, 2023 г.
Физическая электроника
Изучение угловых зависимостей скоростей ионно-пучкового распыления металлов для синтеза заготовок фотошаблонов
М. С. Михайленко, А. Е. Пестов, А. К. Чернышев, Н. И. Чхало Институт физики микроструктур РАН, 607680 Нижний Новгород, Россия
Аннотация:
Рассмотрено применение никеля как альтернативного материала-поглотителя при изготовлении заготовки маски для литографии в окрестности длины волны 11.2 nm. Установлено значение оптимального угла для эффективного распыления источниками ускоренных ионов аргона мишеней из Ru, Be и Ni для изготовления многослойной структуры Ru/Be с верхним слоем из Ni. Показано, что при угле 60$^\circ$ скорость травления всех трех материалов составляет 35 $\pm$ 5 nm/min для ионов аргона с энергией 800 eV при плотности ионного тока 0.5 mA/cm$^2$.
Ключевые слова:
литография, фотошаблон, рентгеновское зеркало, ионное распыление, ионное травление.
Поступила в редакцию: 12.05.2023 Исправленный вариант: 12.05.2023 Принята в печать: 12.05.2023
Образец цитирования:
М. С. Михайленко, А. Е. Пестов, А. К. Чернышев, Н. И. Чхало, “Изучение угловых зависимостей скоростей ионно-пучкового распыления металлов для синтеза заготовок фотошаблонов”, ЖТФ, 93:7 (2023), 1051–1053
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf7049 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v93/i7/p1051
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 16 | PDF полного текста: | 3 |
|