|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Распределение электрического поля в квантовой сверхрешетке с инжектирующим контактом: точное решение
В. А. Максименкоab, В. В. Макаровb, А. А. Короновскийa, А. Е. Храмовab, Р. Венкевичиюсc, Г. Валушисc, А. Г. Балановbd, Ф. В. Кусмарцевd, К. Н. Алексеевd a Саратовский государственный университет им. Чернышевского, 410012 Саратов, Россия
b Саратовский государственный технический университет им. Гагарина, 410054 Саратов, Россия
c Terahertz Photonics Laboratory, Center for Physical Sciences and Technology, LT-01108 Vilnius, Lithuania
d Department of Physics, Loughborough University, LE11 3TU Loughborough, United Kingdom
Аннотация:
Рассматривается простейшая модель, описывающая стационарный электронный транспорт через квантовую сверхрешетку конечной длины при учете произвольной электрической характеристики инжектирующего контакта. В рамках одноминизонного приближения получены точные формулы, описывающие пространственные распределения электрического поля в сверхрешетке для различных типов контактов. Найдены условия, при которых поле становится однородным. Получены аналитические выражения для вольт-амперных характеристик. В качестве одного из приложений развитой теории оценивается возможность достижения однородного поля в диодной структуре с естественной сверхрешеткой карбида кремния.
Поступила в редакцию: 09.02.2016
Образец цитирования:
В. А. Максименко, В. В. Макаров, А. А. Короновский, А. Е. Храмов, Р. Венкевичиюс, Г. Валушис, А. Г. Баланов, Ф. В. Кусмарцев, К. Н. Алексеев, “Распределение электрического поля в квантовой сверхрешетке с инжектирующим контактом: точное решение”, Письма в ЖЭТФ, 103:7 (2016), 527–532; JETP Letters, 103:7 (2016), 465–470
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4909 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v103/i7/p527
|
|