V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov, “Engineering near-surface electron states in three-dimensional topological insulators”, Письма в ЖЭТФ, 98:10 (2013), 676–681; JETP Letters, 98:10 (2013), 603

Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2013, том 98, выпуск 10, страницы 676–681
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X13220050 (Mi jetpl3575)

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Engineering near-surface electron states in three-dimensional topological insulators

V. N. Men'shov^ab, V. V. Tugushev^cab, E. V. Chulkov^db

^a National Research Centre "Kurchatov Institute"
^b Tomsk State University
^c A. M. Prokhorov General Physics Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow
^d Departamento de Física de Materiales, Facultad de Quimica, UPV/EHU, San Sebastian, Basque Country

PDF полного текста (188 kB) Список цитирования (10)

Список литературы:

PDF

HTML

DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X13220050

Аннотация: Using the continual model of a semi-infinite three dimensional (3D) topological insulator (TI) we study the effect of the surface potential (SP) on the formation of helical topological states near the surface. The results reveal that spatial profile and spectrum of these states strongly depend on the SP type and strength. We pay special attention to the 3D TI substrate/non-magnetic insulating overlayer system to illustrate the principles of the topological near-surface states engineering.

Поступила в редакцию: 05.08.2013
Исправленный вариант: 03.10.2013

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2013, Volume 98, Issue 10, Pages 603–608
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364013230082

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Язык публикации: английский

Образец цитирования: V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov, “Engineering near-surface electron states in three-dimensional topological insulators”, Письма в ЖЭТФ, 98:10 (2013), 676–681; JETP Letters, 98:10 (2013), 603–608

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{MenTugЧул13}

\by V.~N.~Men'shov, V.~V.~Tugushev, E.~V.~Chulkov

\paper Engineering near-surface electron states in three-dimensional 

topological insulators

\jour Письма в ЖЭТФ

\yr 2013

\vol 98

\issue 10

\pages 676--681

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3575}

\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X13220050}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21096024}

\transl

\jour JETP Letters

\yr 2013

\vol 98

\issue 10

\pages 603--608

\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364013230082}

\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000330732600005}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21863963}

\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84893391829}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3575

https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v98/i10/p676

Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:

Zh. A. Devizorova, V. A. Volkov, Phys. Rev. B, 95:8 (2017), 081302
В. Н. Меньшов, В. В. Тугушев, Е. В. Чулков, Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016), 480–487 ; V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov, JETP Letters, 104:7 (2016), 453–459
Men'shov V.N. Tugushev V.V. Chulkov E.V., EPL, 114:3 (2016), 37003
Volkov V.A. Enaldiev V.V., J. Exp. Theor. Phys., 122:3 (2016), 608–620
Li M. Cui W. Yu J. Dai Z. Wang Zh. Katmis F. Guo W. Moodera J., Phys. Rev. B, 91:1 (2015), 014427
V. V. Enaldiev, I. V. Zagorodnev, V. A. Volkov, Письма в ЖЭТФ, 101:2 (2015), 94–100 ; JETP Letters, 101:2 (2015), 89–96
V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov, Письма в ЖЭТФ, 102:11 (2015), 864–869 ; JETP Letters, 102:11 (2015), 754–759
Rakyta P., Ujfalussy B., Szunyogh L., New J. Phys., 17 (2015), 123011
Kaladzhyan V. Aseev P.P. Artemenko S.N., Phys. Rev. B, 92:15 (2015), 155424
Men'shov V.N. Tugushev V.V. Menshchikova T.V. Eremeev S.V. Echenique P.M. Chulkov E.V., J. Phys.-Condes. Matter, 26:48 (2014), 485003

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	218
PDF полного текста:	62
Список литературы:	47
Первая страница:	6

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы